Zinc Telluride ZnTe | Cu2Te GeTe InTe PbTe Featured Image

ਜ਼ਿੰਕ ਟੇਲੂਰਾਈਡ ZnTe |Cu₂Te GeTe InTe PbTe

ਵਰਣਨ

ਜ਼ਿੰਕ ਟੇਲੂਰਾਈਡ ZnTe,99.999% 5N ਸ਼ੁੱਧਤਾ, ਪਿਘਲਣ ਦਾ ਬਿੰਦੂ 1238.5°C, ਘਣਤਾ 6.34g/cm³, MW 193.988, CAS 1315-11-3, ਸਲੇਟੀ ਜਾਂ ਭੂਰੇ-ਲਾਲ ਦਿੱਖ ਵਾਲਾ ਹੈ।ZnTe ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਆਵਰਤੀ ਸਾਰਣੀ ਵਿੱਚ ਗਰੁੱਪ II-VI ਤੱਤਾਂ ਦਾ ਇੱਕ ਮਿਸ਼ਰਿਤ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਹੈ, ਜੋ ਕਿ ਰਸਾਇਣਕ ਭਾਫ਼ ਜਮ੍ਹਾ ਕਰਨ ਵਾਲੇ CVD, ਜ਼ੋਨ ਫਲੋਟਿੰਗ ਜਾਂ ਹੋਰ ਤਰੀਕਿਆਂ ਆਦਿ ਦੁਆਰਾ ਸਿੰਥੈਟਿਕ ਤੌਰ 'ਤੇ ਤਿਆਰ ਕੀਤਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ। ਇਸਦੀ ਆਮ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਬਣਤਰ ਚਿਹਰੇ-ਕੇਂਦਰਿਤ ਘਣ, ਜ਼ਿੰਕ-ਬਲੇਂਡ, ਜਾਂ ਸਪਲੇਰਾਈਟ ਕਿਸਮ ਹੈ। , ਹਾਲਾਂਕਿ ਹਰੇਕ ਸਮੱਗਰੀ ਦੇ ਹੈਕਸਾਗੋਨਲ ਰੂਪਾਂ ਨੂੰ ਵਧਣਾ ਵੀ ਸੰਭਵ ਹੈ।Zinc Telluride ZnTe ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਸਮੱਗਰੀਆਂ ਅਤੇ ਇਨਫਰਾਰੈੱਡ ਸਮੱਗਰੀਆਂ ਵਿੱਚ ਵਿਆਪਕ ਤੌਰ 'ਤੇ ਵਰਤਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ, ਕਿਉਂਕਿ ਇਸਦੇ ਪੀ-ਟਾਈਪ ਅਤੇ ਕਮਰੇ ਦੇ ਤਾਪਮਾਨ 'ਤੇ 2.28ev ਦੇ ਚੌੜੇ ਬੈਂਡ ਗੈਪ ਦੇ ਕਾਰਨ, ਅਤੇ ਇਸ ਵਿੱਚ ਫੋਟੋਕੰਡਕਟੀਵਿਟੀ, ਫਲੋਰੋਸੈਂਸ ਆਦਿ ਦੀਆਂ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਹਨ।Zinc Telluride ZnTe ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਆਪਟੀਕਲ ਸੁਧਾਰ THz ਰੇਡੀਏਸ਼ਨ ਸਰੋਤ ਅਤੇ ਖੋਜ ਸਮੱਗਰੀ ਦੇ ਤੌਰ 'ਤੇ ਵੀ ਕੀਤੀ ਜਾ ਸਕਦੀ ਹੈ, ਦਿਸਣਯੋਗ ਹਰੀ ਰੋਸ਼ਨੀ-ਨਿਕਾਸ ਕਰਨ ਵਾਲੇ ਯੰਤਰਾਂ LEDs, ਸੂਰਜੀ ਸੈੱਲਾਂ, ਵੇਵਗਾਈਡਾਂ, ਮੋਡੀਊਲੇਟਰਾਂ, ਲੇਜ਼ਰ ਡਾਇਡਸ, ਆਪਟੋਇਲੈਕਟ੍ਰੋਨਿਕ ਖੇਤਰ ਵਿੱਚ ਮਾਈਕ੍ਰੋਵੇਵ ਜਨਰੇਟਰਾਂ ਦੇ ਹਿੱਸੇ, ਇੱਕ ਗੈਰ-ਲੀਨੀਅਰ ਆਪਟੀਕਲ ਆਪਟੀਕਲ ਫੋਟੋ. ਸਮੱਗਰੀ ਅਤੇ ਹੋਰ ਆਪਟੋਇਲੈਕਟ੍ਰੋਨਿਕ ਯੰਤਰ ਆਦਿ। ਟੇਲੂਰਾਈਡ ਮਿਸ਼ਰਣ ਤੋਂ ਇਲਾਵਾ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਲਾਈਟ ਸਮੱਗਰੀ, ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਡੋਪੈਂਟ, QLED ਡਿਸਪਲੇ, ਆਈਸੀ ਫੀਲਡ ਆਦਿ ਅਤੇ ਹੋਰ ਸਮੱਗਰੀ ਖੇਤਰਾਂ ਦੇ ਰੂਪ ਵਿੱਚ ਬਹੁਤ ਸਾਰੇ ਉਪਯੋਗ ਲੱਭਦੇ ਹਨ।

ਡਿਲਿਵਰੀ

ਜ਼ਿੰਕ ਟੇਲੂਰਾਈਡ ZnTe 5N 99.999% ਅਤੇ ਕਾਪਰ ਟੇਲੂਰਾਈਡ ਸੀ.ਯੂ.₂Te, Germanium Telluride GeTe, Indium Telluride InTe, ਲੀਡ Telluride PbTe 4N 99.99% ਅਤੇ 5N 99.999% ਸ਼ੁੱਧਤਾ ਪੱਛਮੀ ਮਿਨਮੈਟਲਸ (SC) ਕਾਰਪੋਰੇਸ਼ਨ ਵਿਖੇ ਪਾਊਡਰ -60mesh, -80mesh, granule 1-16mm, lump ਦੇ ਰੂਪ ਵਿੱਚ ਡਿਲੀਵਰ ਕੀਤਾ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ। 20mm, ਚੰਕ, ਬਲਕ ਕ੍ਰਿਸਟਲ, ਰਾਡ ਅਤੇ ਸਬਸਟਰੇਟ ਆਦਿ ਜਾਂ ਸੰਪੂਰਨ ਹੱਲ ਤੱਕ ਪਹੁੰਚਣ ਲਈ ਅਨੁਕੂਲਿਤ ਨਿਰਧਾਰਨ ਦੇ ਤੌਰ ਤੇ।

ਹੁਣ ਪੁੱਛਗਿੱਛ

ਵੇਰਵੇ

ਟੈਗਸ

ਤਕਨੀਕੀ ਨਿਰਧਾਰਨ

ਟੇਲੂਰਾਈਡ ਮਿਸ਼ਰਣ

ਟੇਲੂਰਾਈਡ ਮਿਸ਼ਰਣਧਾਤੂ ਤੱਤਾਂ ਅਤੇ ਮੈਟਾਲੋਇਡ ਮਿਸ਼ਰਣਾਂ ਦਾ ਹਵਾਲਾ ਦਿਓ, ਜਿਨ੍ਹਾਂ ਦੀ ਇੱਕ ਮਿਸ਼ਰਿਤ-ਅਧਾਰਿਤ ਠੋਸ ਘੋਲ ਬਣਾਉਣ ਲਈ ਇੱਕ ਖਾਸ ਸੀਮਾ ਦੇ ਅੰਦਰ ਸਟੋਈਚਿਓਮੈਟ੍ਰਿਕ ਰਚਨਾ ਬਦਲਦੀ ਹੈ।ਅੰਤਰ-ਧਾਤੂ ਮਿਸ਼ਰਣ ਧਾਤੂ ਅਤੇ ਵਸਰਾਵਿਕ ਦੇ ਵਿਚਕਾਰ ਇਸਦੇ ਸ਼ਾਨਦਾਰ ਗੁਣਾਂ ਦਾ ਹੈ, ਅਤੇ ਨਵੀਂ ਢਾਂਚਾਗਤ ਸਮੱਗਰੀ ਦੀ ਇੱਕ ਮਹੱਤਵਪੂਰਨ ਸ਼ਾਖਾ ਬਣ ਜਾਂਦਾ ਹੈ।ਐਂਟੀਮਨੀ ਟੇਲੂਰਾਈਡ ਐਸਬੀ ਦੇ ਟੇਲੂਰਾਈਡ ਮਿਸ਼ਰਣ₂Te₃, ਐਲੂਮੀਨੀਅਮ ਟੈਲੁਰਾਈਡ ਅਲ₂Te₃, ਆਰਸੈਨਿਕ ਟੇਲੂਰਾਈਡ ਐਸ₂Te₃, ਬਿਸਮਥ ਟੇਲੂਰਾਈਡ ਬੀ₂Te₃, Cadmium Telluride CdTe, Cadmium Zinc Telluride CdZnTe, Cadmium Manganese Telluride CdMnTe ਜਾਂ CMT, ਕਾਪਰ ਟੇਲੂਰਾਈਡ Cu₂Te, Gallium Telluride Ga₂Te₃, ਜਰਮੇਨਿਅਮ ਟੇਲੂਰਾਈਡ ਜੀ.ਟੀ.ਈ., ਇੰਡੀਅਮ ਟੇਲੂਰਾਈਡ ਇਨਟੇ, ਲੀਡ ਟੇਲੂਰਾਈਡ ਪੀ.ਬੀ.ਟੀ.ਈ., ਮੋਲੀਬਡੇਨਮ ਟੇਲੂਰਾਈਡ ਮੋਟੇ₂, Tungsten Telluride WTe₂ਅਤੇ ਇਸ ਦੇ (Li, Na, K, Be, Mg, Ca) ਮਿਸ਼ਰਣ ਅਤੇ ਦੁਰਲੱਭ ਧਰਤੀ ਦੇ ਮਿਸ਼ਰਣਾਂ ਨੂੰ ਪਾਊਡਰ, ਗ੍ਰੈਨਿਊਲ, ਗੱਠ, ਪੱਟੀ, ਸਬਸਟਰੇਟ, ਬਲਕ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਅਤੇ ਸਿੰਗਲ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਦੇ ਰੂਪ ਵਿੱਚ ਸੰਸ਼ਲੇਸ਼ਿਤ ਕੀਤਾ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ ...

ਨੰ.	ਆਈਟਮ	ਮਿਆਰੀ ਨਿਰਧਾਰਨ
ਨੰ.	ਆਈਟਮ	ਫਾਰਮੂਲਾ	ਸ਼ੁੱਧਤਾ	ਆਕਾਰ ਅਤੇ ਪੈਕਿੰਗ
1	ਜ਼ਿੰਕ ਟੈਲੂਰਾਈਡ	ZnTe	5N	-60mesh, -80mesh ਪਾਊਡਰ, 1-20mm ਅਨਿਯਮਿਤ ਗੱਠ, 1-6mm ਗ੍ਰੈਨਿਊਲ, ਟੀਚਾ ਜਾਂ ਖਾਲੀ। 500 ਗ੍ਰਾਮ ਜਾਂ 1000 ਗ੍ਰਾਮ ਪੋਲੀਥੀਨ ਦੀ ਬੋਤਲ ਜਾਂ ਕੰਪੋਜ਼ਿਟ ਬੈਗ, ਬਾਹਰ ਡੱਬੇ ਦੇ ਡੱਬੇ ਵਿੱਚ। Telluride ਮਿਸ਼ਰਣਾਂ ਦੀ ਰਚਨਾ ਬੇਨਤੀ 'ਤੇ ਉਪਲਬਧ ਹੈ। ਵਿਸ਼ੇਸ਼ ਨਿਰਧਾਰਨ ਅਤੇ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨ ਨੂੰ ਸੰਪੂਰਣ ਹੱਲ ਲਈ ਅਨੁਕੂਲਿਤ ਕੀਤਾ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ
2	ਆਰਸੈਨਿਕ ਟੇਲੂਰਾਈਡ	As₂Te₃	4N 5N
3	ਐਂਟੀਮਨੀ ਟੇਲੂਰਾਈਡ	ਐਸ.ਬੀ₂Te₃	4N 5N
4	ਐਲੂਮੀਨੀਅਮ ਟੈਲੂਰਾਈਡ	Al₂Te₃	4N 5N
5	ਬਿਸਮਥ ਟੈਲੂਰਾਈਡ	Bi₂Te₃	4N 5N
6	ਕਾਪਰ ਟੈਲੂਰਾਈਡ	Cu₂Te	4N 5N
7	ਕੈਡਮੀਅਮ ਟੈਲੂਰਾਈਡ	ਸੀ.ਡੀ.ਟੀ.ਈ	5N 6N 7N
8	ਕੈਡਮੀਅਮ ਜ਼ਿੰਕ ਟੈਲੂਰਾਈਡ	CdZnTe, CZT	5N 6N 7N
9	ਕੈਡਮੀਅਮ ਮੈਂਗਨੀਜ਼ ਟੇਲੂਰਾਈਡ	CdMnTe, CMT	5N 6N
10	ਗੈਲਿਅਮ ਟੈਲੂਰਾਈਡ	Ga₂Te₃	4N 5N
11	ਜਰਮਨੀਅਮ ਟੇਲੂਰਾਈਡ	ਜੀ.ਟੀ.ਈ	4N 5N
12	ਇੰਡੀਅਮ ਟੈਲੂਰਾਈਡ	InTe	4N 5N
13	ਲੀਡ ਟੇਲੂਰਾਈਡ	ਪੀ.ਬੀ.ਟੀ.ਈ	5N
14	ਮੋਲੀਬਡੇਨਮ ਟੈਲੂਰਾਈਡ	MoTe₂	3N5
15	ਟੰਗਸਟਨ ਟੇਲੂਰਾਈਡ	ਡਬਲਯੂ.ਟੀ.ਈ₂	3N5

ਕਾਪਰ ਟੈਲੂਰਾਈਡ

ਕਾਪਰ ਟੇਲੂਰਾਈਡ Cu₂Te, ਹਲਕਾ ਸਲੇਟੀ-ਕਾਲਾ appreance, CAS 12019-52-2, MW 254.692, ਘਣਤਾ 7.27g/cm³, ਪਿਘਲਣ ਦਾ ਬਿੰਦੂ 900°C, ਗੰਧ ਰਹਿਤ, ਇੱਕ ਪਰਿਵਰਤਨ ਮੈਟਲ ਚੈਲਕੋਜੀਨਾਈਡ ਅਤੇ 2D ਲੇਅਰਡ ਸਮੱਗਰੀ ਹੈ, ਅਤੇ ਕਮਰੇ ਦੇ ਤਾਪਮਾਨ 'ਤੇ ਹਵਾ ਵਿੱਚ ਸਥਿਰ ਹੈ।ਕਾਪਰ ਟੇਲੂਰਾਈਡ Cu₂ਸਿੰਗਲ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਆਰਥੋਰਹੋਮਬਿਕ ਬਣਤਰ ਵਾਲਾ Te ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਮਿਸ਼ਰਣ, ਇੱਕ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਕੈਮੀਕਲ ਵਿਧੀ ਅਤੇ ਰਸਾਇਣਕ ਜਮ੍ਹਾ ਵਿਧੀ CVD 'ਤੇ ਅਧਾਰਤ ਇੱਕ ਸਿੱਧੀ ਪਹੁੰਚ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਕੇ ਸਫਲਤਾਪੂਰਵਕ ਸੰਸ਼ਲੇਸ਼ਣ ਕੀਤਾ ਗਿਆ ਹੈ, ਇਸ ਵਿੱਚ ਆਪਟਿਕਸ ਵਿੱਚ ਵੱਖ-ਵੱਖ ਤਕਨੀਕੀ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨਾਂ ਲਈ ਦਿਲਚਸਪ ਭੌਤਿਕ, ਰਸਾਇਣਕ, ਮਕੈਨੀਕਲ, ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕ, ਫੋਟੋਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਅਤੇ ਥਰਮਲ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਹਨ, ਉਤਪ੍ਰੇਰਕ, ਊਰਜਾ ਸਟੋਰੇਜ, ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕ ਯੰਤਰ ਅਤੇ ਸੈਂਸਰ, ਮੁੱਖ ਤੌਰ 'ਤੇ ਸ਼ੁੱਧਤਾ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਅਤੇ ਆਪਟੋਇਲੈਕਟ੍ਰੋਨਿਕ ਸਮੱਗਰੀਆਂ ਵਿੱਚ ਵਰਤੇ ਜਾਂਦੇ ਹਨ।99.99% 4N, 99.999% 5N ਸ਼ੁੱਧਤਾ ਦੇ ਨਾਲ ਵੈਸਟਰਨ ਮਿਨਮੈਟਲਜ਼ (SC) ਕਾਰਪੋਰੇਸ਼ਨ ਵਿਖੇ ਕਾਪਰ ਟੇਲੂਰਾਈਡ ਪਾਊਡਰ, ਗ੍ਰੈਨਿਊਲ, ਗੱਠ, ਚੰਕ, ਬਲਕ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਅਤੇ ਡੰਡੇ ਆਦਿ ਦੇ ਰੂਪ ਵਿੱਚ ਜਾਂ ਉਦਯੋਗ ਅਤੇ ਖੋਜ ਦੇ ਉਦੇਸ਼ਾਂ ਲਈ ਅਨੁਕੂਲਿਤ ਨਿਰਧਾਰਨ ਦੇ ਰੂਪ ਵਿੱਚ ਉਪਲਬਧ ਹਨ।

ਇੰਡੀਅਮ ਟੈਲੂਰਾਈਡ

ਇੰਡੀਅਮ ਟੇਲੂਰਾਈਡ InTe,ਅਣੂ ਭਾਰ 242.4, 6.29 g/cm ਦੀ ਘਣਤਾ³, ਪਿਘਲਣ ਦਾ ਬਿੰਦੂ 696°C ਹੈ, ਕਾਲਾ ਜਾਂ ਨੀਲਾ-ਸਲੇਟੀ ਕ੍ਰਿਸਟਲ, ਹਵਾ ਵਿੱਚ ਸਥਿਰ ਹੈ, ਹਾਈਡ੍ਰੋਕਲੋਰਿਕ ਐਸਿਡ ਵਿੱਚ ਘੁਲਣਸ਼ੀਲ ਅਤੇ ਨਾਈਟ੍ਰਿਕ ਐਸਿਡ ਵਿੱਚ ਘੁਲਣਸ਼ੀਲ ਹੈ।ਵੈਕਿਊਮ ਵਿੱਚ ਗਰਮ ਕਰਨ ਨਾਲ ਅਸਥਿਰ ਹੋਣਾ ਆਸਾਨ ਹੁੰਦਾ ਹੈ, ਅਤੇ ਭਾਫ਼ ਸਥਿਰ ਹੁੰਦੀ ਹੈ ਅਤੇ ਸੜਦੀ ਨਹੀਂ ਹੈ।ਇੰਡੀਅਮ ਟੈੱਲੁਰਾਈਡ ਵਿੱਚ ਮਜ਼ਬੂਤ ਐਨੀਸੋਟ੍ਰੋਪੀ ਅਤੇ ਧਾਤ ਦੀ ਚਾਲਕਤਾ ਹੈ।Indium Telluride InTe, ਇੱਕ ਮਿਸ਼ਰਿਤ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ, ਜੋ ਕਿ ਟੈਟਰਾਗੋਨਲ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਦੀ ਬਣਤਰ ਲੇਮੇਲਰ ਹੈ, ਜੋ ਕਿ ਰਸਾਇਣਕ ਭਾਫ਼ ਜਮ੍ਹਾ ਕਰਨ ਵਾਲੀ CVD ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਦੁਆਰਾ ਜਾਂ ਬ੍ਰਿਜਮੈਨ ਵਿਧੀ ਦੁਆਰਾ ਇੰਡੀਅਮ ਅਤੇ ਟੇਲੂਰੀਅਮ ਦੀ ਸਿੱਧੀ ਪ੍ਰਤੀਕ੍ਰਿਆ ਨਾਲ ਤਿਆਰ ਕੀਤੀ ਜਾਂਦੀ ਹੈ।ਸਿਰਫ ਵਪਾਰਕ ਤੌਰ 'ਤੇ ਉਪਲਬਧ ਲੇਅਰਡ InTe ਕ੍ਰਿਸਟਲ, ਜਿਸਦਾ ਬੈਂਡ-ਗੈਪ ਲਗਭਗ 0.6 eV ਹੈ ਅਤੇ ਮਜ਼ਬੂਤ ਫੋਟੋਲੂਮਿਨਿਸੈਂਸ ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਿਤ ਕਰਦਾ ਹੈ।ਇੰਡੀਅਮ ਟੈਲੂਰਾਈਡ ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ n-ਕਿਸਮ ਦੀ ਸਮੱਗਰੀ ਹੈ, ਅਤੇ ਮੁੱਖ ਤੌਰ 'ਤੇ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਉਦਯੋਗ, ਸੈਂਸਰ ਪਾਰਟਸ, ਲੈਂਸ ਕੋਟਿੰਗ, ਅਤੇ ਇਨਫਰਾਰੈੱਡ ਡਿਟੈਕਟਰ ਬਣਾਉਣ, ਜਾਂ ਹੋਰ ਖੋਜ ਉਦੇਸ਼ਾਂ ਲਈ ਵਰਤੀ ਜਾਂਦੀ ਹੈ।ਵੈਸਟਰਨ ਮਿਨਮੈਟਲਜ਼ (SC) ਕਾਰਪੋਰੇਸ਼ਨ ਵਿਖੇ ਇੰਡੀਅਮ ਟੇਲੂਰਾਈਡ InTe 99.99% 4N, 99.999% 5N ਸ਼ੁੱਧਤਾ ਉਦਯੋਗਿਕ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨਾਂ ਲਈ ਪਾਊਡਰ, ਗੱਠ, ਗ੍ਰੈਨਿਊਲ, ਗੱਠ, ਬਲਕ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਅਤੇ ਰਾਡ ਆਦਿ ਦੇ ਰੂਪ ਵਿੱਚ ਉਪਲਬਧ ਹਨ।

ਜਰਮਨੀਅਮ ਟੇਲੂਰਾਈਡ

ਜਰਮਨੀਅਮ ਟੇਲੂਰਾਈਡ ਜੀ.ਟੀ.ਈ,ਬਲੈਕ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਹੈ, CAS 12025-39-7, MW 200.24, ਘਣਤਾ 6.14g/cm³, ਪਿਘਲਣ ਦਾ ਬਿੰਦੂ 725°C, ਅਤੇ ਪਾਣੀ ਵਿੱਚ ਅਘੁਲਣਸ਼ੀਲ।ਜਰਮਨੀਅਮ ਟੈਲੂਰਾਈਡ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਇੱਕ ਆਇਓਨਿਕ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਅਤੇ ਮਿਸ਼ਰਿਤ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਹੈ, ਜਿਸਦਾ ਕਮਰੇ ਦੇ ਤਾਪਮਾਨ 'ਤੇ 0.23eV ਚੌੜਾ ਸਿੱਧਾ ਬੈਂਡ ਗੈਪ ਹੁੰਦਾ ਹੈ, ਅਤੇ ਇਹ ਤੰਗ ਊਰਜਾ ਗੈਪ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਨਾਲ ਸਬੰਧਤ ਹੈ।ਇਹ ਸਧਾਰਣ ਤਾਪਮਾਨ ਅਤੇ ਦਬਾਅ ਦੇ ਅਧੀਨ ਸਥਿਰ ਹੈ, ਅਤੇ ਅਰਧ ਧਾਤੂ ਸੰਚਾਲਨ ਅਤੇ ਫੇਰੋਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਦਿਖਾਉਂਦਾ ਹੈ।ਇਸ ਉਤਪਾਦ ਦੇ ਤਿੰਨ ਪ੍ਰਮੁੱਖ ਕ੍ਰਿਸਟਲਿਨ ਰੂਪ ਹਨ, ਕਮਰੇ-ਤਾਪਮਾਨ α (ਰੋਮਬੋਹੇਡ੍ਰਲ) ਅਤੇ γ (ਆਰਥੋਰਹੋਮਬਿਕ) ਬਣਤਰ ਅਤੇ ਉੱਚ-ਤਾਪਮਾਨ β (ਘਣ, ਰੌਕਸਾਲਟ-ਕਿਸਮ) ਪੜਾਅ, α ਪੜਾਅ ਸਭ ਤੋਂ ਆਮ ਹੈ।ਜਰਮਨੀਅਮ ਟੇਲੁਰਾਈਡ, ਇੱਕ ਨਾਵਲ 2D ਸਮੱਗਰੀ, ਨੇ ਆਪਣੇ ਸ਼ਾਨਦਾਰ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕ ਅਤੇ ਆਪਟੀਕਲ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਦੇ ਕਾਰਨ ਬਹੁਤ ਧਿਆਨ ਖਿੱਚਿਆ ਹੈ।ਜਰਮੇਨਿਅਮ ਟੇਲੂਰਾਈਡ ਦੀ ਤਿਆਰੀ ਇੱਕ ਵੈਕਿਊਮ ਕੁਆਰਟਜ਼ ਟਿਊਬ ਵਿੱਚ ਜਰਮੇਨੀਅਮ ਅਤੇ ਟੇਲੂਰੀਅਮ ਨੂੰ ਉਹਨਾਂ ਦੇ ਪਿਘਲਣ ਵਾਲੇ ਬਿੰਦੂ ਤੱਕ ਗਰਮ ਕਰਕੇ ਅਤੇ GeTe ਨੂੰ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰਨ ਲਈ ਰੀਕ੍ਰਿਸਟਾਲ ਕਰਨ ਦੁਆਰਾ ਹੈ, ਪਰ ਸਿੰਗਲ ਕ੍ਰਿਸਟਲ GeTe ਨੂੰ ਜ਼ੋਨ ਫਲੋਟਿੰਗ ਵਿਧੀ ਦੁਆਰਾ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕੀਤਾ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ।ਇਹ ਇਨਫਰਾਰੈੱਡ ਰੋਸ਼ਨੀ ਦੇ ਨਿਕਾਸ ਅਤੇ ਖੋਜ ਲਈ ਇੱਕ ਸਮੱਗਰੀ ਵਜੋਂ ਵਰਤਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ।ਇਸ ਦੌਰਾਨ, ਜਰਮਨੀਅਮ ਟੇਲੁਰਾਈਡ ਇੱਕ ਜਾਣਿਆ-ਪਛਾਣਿਆ ਪੜਾਅ ਤਬਦੀਲੀ ਸਮੱਗਰੀ PCM ਹੈ ਜੋ ਗੈਰ-ਅਸਥਿਰ ਮੈਮੋਰੀ ਸੈੱਲਾਂ ਅਤੇ ਰੇਡੀਓ ਫ੍ਰੀਕੁਐਂਸੀ ਸਵਿੱਚਾਂ ਵਿੱਚ ਵਰਤੀ ਜਾਂਦੀ ਹੈ।ਵੈਸਟਰਨ ਮਿਨਮੈਟਲਜ਼ (SC) ਕਾਰਪੋਰੇਸ਼ਨ ਵਿਖੇ ਜਰਮਨੀਅਮ ਟੇਲੂਰਾਈਡ ਨੂੰ 99.99% 4N, 99.999% 5N ਸ਼ੁੱਧਤਾ ਨਾਲ ਪਾਊਡਰ, ਗੱਠ, ਚੰਕ, ਬਲਕ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਚੰਕ ਅਤੇ ਰਾਡ ਆਦਿ ਦੇ ਰੂਪ ਵਿੱਚ ਜਾਂ ਕਸਟਮਾਈਜ਼ਡ ਸਪੈਸੀਫਿਕੇਸ਼ਨ ਦੇ ਰੂਪ ਵਿੱਚ ਡਿਲੀਵਰ ਕੀਤਾ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ।

ਲੀਡ ਟੇਲੂਰਾਈਡ

ਲੀਡ ਟੇਲੂਰਾਈਡ PbTe,CAS 1314-91-6, MW 334.80, ਪਿਘਲਣ ਦਾ ਬਿੰਦੂ 905°C, ਪਾਣੀ ਅਤੇ ਐਸਿਡ ਵਿੱਚ ਘੁਲਣਸ਼ੀਲ, ਆਇਓਨਿਕ ਕ੍ਰਿਸਟਲ, ਕਮਰੇ ਦੇ ਤਾਪਮਾਨ 'ਤੇ 0.32ev ਦੇ ਬੈਂਡ ਗੈਪ ਚੌੜਾਈ ਵਾਲਾ ਇੱਕ ਸਿੱਧਾ ਬੈਂਡ ਗੈਪ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਹੈ।PbTe ਦੀਆਂ ਸਮੱਗਰੀਆਂ ਨੂੰ ਬ੍ਰਿਜਮੈਨ ਵਿਧੀ, ਰਸਾਇਣਕ ਮਕੈਨੀਕਲ ਜਮ੍ਹਾ ਵਿਧੀ ਅਤੇ ਸਬਲਿਮੇਸ਼ਨ ਰੀਕ੍ਰਿਸਟਾਲਾਈਜ਼ੇਸ਼ਨ ਵਿਧੀ ਦੁਆਰਾ ਤਿਆਰ ਕੀਤਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ।ਲੀਡ ਟੇਲੂਈਡ ਪੀਬੀਟੀਈ ਇੱਕ ਧਰੁਵੀ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਹੈ ਜੋ ਰੌਕਸਾਲਟ-ਕਿਸਮ ਦੀ ਜਾਲੀ ਵਿੱਚ ਕ੍ਰਿਸਟਲਾਈਜ਼ ਕਰਦਾ ਹੈ, ਦੂਜੇ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰਾਂ ਦੇ ਮੁਕਾਬਲੇ ਅਸਾਧਾਰਨ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਿਤ ਕਰਦਾ ਹੈ ਜਿਸ ਵਿੱਚ ਉੱਚ ਡਾਈਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਸਥਿਰਤਾ, ਉੱਚ ਗਤੀਸ਼ੀਲਤਾ, ਅਤੇ ਤੰਗ ਬੁਨਿਆਦੀ ਪਾੜੇ ਹੁੰਦੇ ਹਨ ਜਿਨ੍ਹਾਂ ਦਾ ਤਾਪਮਾਨ ਗੁਣਾਂਕ ਸਕਾਰਾਤਮਕ ਹੁੰਦਾ ਹੈ।ਲੀਡ ਟੇਲੂਰਾਈਡ ਕਈ ਕਿਸਮ ਦੇ ਇਨਫਰਾਰੈੱਡ ਆਪਟੋਇਲੈਕਟ੍ਰੋਨਿਕ ਡਿਵਾਈਸ, ਇਨਫਰਾਰੈੱਡ ਫੋਟੋਡਿਟੈਕਟਰ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨ, ਅਤੇ ਬਹੁਤ ਘੱਟ ਥ੍ਰੈਸ਼ਹੋਲਡ-ਮੌਜੂਦਾ ਲੇਜ਼ਰ ਡਾਇਡਸ ਲਈ ਵਰਤੋਂ ਲਈ ਤਕਨੀਕੀ ਮਹੱਤਵ ਦਾ ਹੈ, ਅਤੇ ਇਸਨੂੰ ਥਰਮੋਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਸਮੱਗਰੀ ਵਜੋਂ ਵੀ ਵਰਤਿਆ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ।ਵੈਸਟਰਨ ਮਾਈਮੈਟਲਜ਼ (SC) ਕਾਰਪੋਰੇਸ਼ਨ ਵਿਖੇ ਲੀਡ ਟੇਲੂਰਾਈਡ PbTe ਨੂੰ 99.99% 4N, 99.999% 5N ਸ਼ੁੱਧਤਾ ਵਿੱਚ ਪਾਊਡਰ, ਗ੍ਰੈਨਿਊਲ, ਗੰਢ, ਚੰਕ, ਬਲਕ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਅਤੇ ਡੰਡੇ ਆਦਿ ਦੇ ਰੂਪ ਵਿੱਚ ਜਾਂ ਉਦਯੋਗ ਅਤੇ ਖੋਜ ਦੇ ਉਦੇਸ਼ਾਂ ਲਈ ਅਨੁਕੂਲਿਤ ਨਿਰਧਾਰਨ ਦੇ ਰੂਪ ਵਿੱਚ ਡਿਲੀਵਰ ਕੀਤਾ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ।

ਪ੍ਰਾਪਤੀ ਸੁਝਾਅ