Cadmium Arsenide Cd3As2 | GaAs InAs Nb3As2 Featured Image

ਕੈਡਮੀਅਮ ਆਰਸੇਨਾਈਡ ਸੀਡੀ₃As₂|GaAs InAs Nb₃As₂

ਵਰਣਨ

ਕੈਡਮੀਅਮ ਆਰਸੇਨਾਈਡ ਸੀਡੀ₃As₂5N 99.999%,ਗੂੜ੍ਹਾ ਸਲੇਟੀ ਰੰਗ, ਘਣਤਾ 6.211g/cm ਨਾਲ³, ਪਿਘਲਣ ਦਾ ਬਿੰਦੂ 721°C, ਅਣੂ 487.04, CAS12006-15-4, ਨਾਈਟ੍ਰਿਕ ਐਸਿਡ HNO ਵਿੱਚ ਘੁਲਣਸ਼ੀਲ₃ ਅਤੇ ਹਵਾ ਵਿੱਚ ਸਥਿਰਤਾ, ਉੱਚ ਸ਼ੁੱਧਤਾ ਕੈਡਮੀਅਮ ਅਤੇ ਆਰਸੈਨਿਕ ਦੀ ਇੱਕ ਸੰਸ਼ਲੇਸ਼ਿਤ ਮਿਸ਼ਰਿਤ ਸਮੱਗਰੀ ਹੈ।ਕੈਡਮੀਅਮ ਆਰਸੇਨਾਈਡ II-V ਪਰਿਵਾਰ ਵਿੱਚ ਇੱਕ ਅਕਾਰਗਨਿਕ ਸੈਮੀਮੈਟਲ ਹੈ ਅਤੇ ਨਰਨਸਟ ਪ੍ਰਭਾਵ ਨੂੰ ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਿਤ ਕਰਦਾ ਹੈ।ਬ੍ਰਿਜਮੈਨ ਵਿਕਾਸ ਵਿਧੀ ਦੁਆਰਾ ਉਗਾਇਆ ਗਿਆ ਕੈਡਮੀਅਮ ਆਰਸੇਨਾਈਡ ਕ੍ਰਿਸਟਲ, ਗੈਰ-ਲੇਅਰਡ ਬਲਕ ਡੀਰਾਕ ਸੈਮੀਮੈਟਲ ਬਣਤਰ, ਇੱਕ ਡੀਜਨਰੇਟ ਐਨ-ਟਾਈਪ II-V ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਜਾਂ ਉੱਚ ਕੈਰੀਅਰ ਗਤੀਸ਼ੀਲਤਾ, ਘੱਟ-ਪ੍ਰਭਾਵੀ ਪੁੰਜ, ਅਤੇ ਇੱਕ ਉੱਚ ਗੈਰ-ਪੈਰਾਬੋਲਿਕ ਸੰਚਾਲਨ ਵਾਲਾ ਇੱਕ ਤੰਗ-ਗੈਪ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਹੈ। ਜਥਾ.ਕੈਡਮੀਅਮ ਆਰਸੇਨਾਈਡ ਸੀਡੀ₃As₂ਜਾਂ CdAs ਇੱਕ ਕ੍ਰਿਸਟਲਿਨ ਠੋਸ ਹੈ ਅਤੇ ਇੱਕ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਅਤੇ ਫੋਟੋ ਆਪਟਿਕ ਖੇਤਰ ਵਿੱਚ ਵੱਧ ਤੋਂ ਵੱਧ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨ ਲੱਭਦਾ ਹੈ ਜਿਵੇਂ ਕਿ ਨਰਨਸਟ ਪ੍ਰਭਾਵ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਦੇ ਹੋਏ ਇਨਫਰਾਰੈੱਡ ਡਿਟੈਕਟਰਾਂ ਵਿੱਚ, ਪਤਲੇ-ਫਿਲਮ ਡਾਇਨਾਮਿਕ ਪ੍ਰੈਸ਼ਰ ਸੈਂਸਰਾਂ, ਲੇਜ਼ਰ, ਲਾਈਟ-ਐਮੀਟਿੰਗ ਡਾਇਓਡਜ਼ LED, ਕੁਆਂਟਮ ਬਿੰਦੀਆਂ ਵਿੱਚ magnetoresistors ਅਤੇ photodetectors ਵਿੱਚ ਬਣਾਓ.ਆਰਸੇਨਾਈਡ GaAs, Indium Arsenide InAs ਅਤੇ Niobium Arsenide NbAs ਜਾਂ Nb ਦੇ ਆਰਸੇਨਾਈਡ ਮਿਸ਼ਰਣ₅As₃ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਲਾਈਟ ਸਮੱਗਰੀ, ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਸਮੱਗਰੀ, QLED ਡਿਸਪਲੇਅ, ਆਈਸੀ ਫੀਲਡ ਅਤੇ ਹੋਰ ਸਮੱਗਰੀ ਖੇਤਰਾਂ ਦੇ ਰੂਪ ਵਿੱਚ ਹੋਰ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨ ਲੱਭੋ।

ਡਿਲਿਵਰੀ

ਕੈਡਮੀਅਮ ਆਰਸੇਨਾਈਡ ਸੀਡੀ₃As₂ਅਤੇ ਗੈਲਿਅਮ ਆਰਸੈਨਾਈਡ GaAs, ਇੰਡੀਅਮ ਆਰਸੇਨਾਈਡ InAs ਅਤੇ Niobium Arsenide NbAs ਜਾਂ Nb₅As₃99.99% 4N ਅਤੇ 99.999% 5N ਸ਼ੁੱਧਤਾ ਦੇ ਨਾਲ ਵੈਸਟਰਨ ਮਿਨਮੈਟਲਜ਼ (SC) ਕਾਰਪੋਰੇਸ਼ਨ ਵਿੱਚ ਪੌਲੀਕ੍ਰਿਸਟਲਾਈਨ ਮਾਈਕ੍ਰੋਪਾਊਡਰ -60mesh, -80mesh, ਨੈਨੋਪਾਰਟਿਕਲ, ਲੰਪ 1-20mm, ਗ੍ਰੈਨਿਊਲ 1-6mm, ਚੰਕ, ਖਾਲੀ, ਬਲਕ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਅਤੇ ਸਿੰਗਲ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਆਦਿ ਦੇ ਆਕਾਰ ਵਿੱਚ ਹੈ। ., ਜਾਂ ਸੰਪੂਰਨ ਹੱਲ ਤੱਕ ਪਹੁੰਚਣ ਲਈ ਅਨੁਕੂਲਿਤ ਨਿਰਧਾਰਨ ਦੇ ਤੌਰ ਤੇ.

ਹੁਣ ਪੁੱਛਗਿੱਛ

ਵੇਰਵੇ

ਟੈਗਸ

ਤਕਨੀਕੀ ਨਿਰਧਾਰਨ

ਆਰਸੈਨਾਈਡ ਮਿਸ਼ਰਣ

ਆਰਸੈਨਾਈਡ ਮਿਸ਼ਰਣ ਮੁੱਖ ਤੌਰ 'ਤੇ ਧਾਤੂ ਤੱਤਾਂ ਅਤੇ ਧਾਤੂ ਮਿਸ਼ਰਣਾਂ ਦਾ ਹਵਾਲਾ ਦਿੰਦੇ ਹਨ, ਜਿਨ੍ਹਾਂ ਦੀ ਸਟੋਈਚਿਓਮੈਟ੍ਰਿਕ ਰਚਨਾ ਇੱਕ ਮਿਸ਼ਰਿਤ-ਆਧਾਰਿਤ ਠੋਸ ਘੋਲ ਬਣਾਉਣ ਲਈ ਇੱਕ ਨਿਸ਼ਚਿਤ ਸੀਮਾ ਦੇ ਅੰਦਰ ਬਦਲਦੀ ਹੈ।ਅੰਤਰ-ਧਾਤੂ ਮਿਸ਼ਰਣ ਧਾਤੂ ਅਤੇ ਵਸਰਾਵਿਕ ਦੇ ਵਿਚਕਾਰ ਇਸਦੇ ਸ਼ਾਨਦਾਰ ਗੁਣਾਂ ਦਾ ਹੈ, ਅਤੇ ਨਵੀਂ ਢਾਂਚਾਗਤ ਸਮੱਗਰੀ ਦੀ ਇੱਕ ਮਹੱਤਵਪੂਰਨ ਸ਼ਾਖਾ ਬਣ ਜਾਂਦਾ ਹੈ।ਗੈਲਿਅਮ ਆਰਸੇਨਾਈਡ GaAs, ਇੰਡੀਅਮ ਆਰਸੇਨਾਈਡ InAs ਅਤੇ Niobium Arsenide NbAs ਜਾਂ Nb ਤੋਂ ਇਲਾਵਾ₅As₃ਪਾਊਡਰ, ਗ੍ਰੈਨਿਊਲ, ਗੰਢ, ਬਾਰ, ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਅਤੇ ਸਬਸਟਰੇਟ ਦੇ ਰੂਪ ਵਿੱਚ ਵੀ ਸਿੰਥੇਸਾਈਜ਼ ਕੀਤਾ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ।

ਨੰ.	ਆਈਟਮ	ਮਿਆਰੀ ਨਿਰਧਾਰਨ
ਨੰ.	ਆਈਟਮ	ਸ਼ੁੱਧਤਾ	ਅਸ਼ੁੱਧਤਾ PPM ਅਧਿਕਤਮ ਹਰੇਕ	ਆਕਾਰ
1	ਕੈਡਮੀਅਮ ਆਰਸੈਨਾਈਡ ਸੀਡੀ₃As₂	5N	Ag/Cu/Ca/Mg/Sn/Fe/Cr/Bi 0.5, Ni/S 0.2, Zn/Pb 1.0	-60mesh -80mesh ਪਾਊਡਰ, 1-20mm ਗੰਢ, 1-6mm ਦਾਣੇ
2	ਗੈਲਿਅਮ ਆਰਸੇਨਾਈਡ GaAs	5N 6N 7N	GaAs ਰਚਨਾ ਬੇਨਤੀ 'ਤੇ ਉਪਲਬਧ ਹੈ
3	ਨਿਓਬੀਅਮ ਆਰਸੇਨਾਈਡ NbAs	3N5	NbAs ਰਚਨਾ ਬੇਨਤੀ 'ਤੇ ਉਪਲਬਧ ਹੈ
4	ਇੰਡੀਅਮ ਆਰਸੇਨਾਈਡ InAs	5N 6N	InAs ਰਚਨਾ ਬੇਨਤੀ 'ਤੇ ਉਪਲਬਧ ਹੈ
5	ਪੈਕਿੰਗ	500 ਗ੍ਰਾਮ ਜਾਂ 1000 ਗ੍ਰਾਮ ਪੋਲੀਥੀਨ ਦੀ ਬੋਤਲ ਜਾਂ ਕੰਪੋਜ਼ਿਟ ਬੈਗ, ਬਾਹਰ ਡੱਬੇ ਦੇ ਡੱਬੇ ਵਿੱਚ

ਗੈਲਿਅਮ ਆਰਸੈਨਾਈਡ

ਗੈਲਿਅਮ ਆਰਸੇਨਾਈਡ GaAs, ਇੱਕ III-V ਮਿਸ਼ਰਿਤ ਡਾਇਰੈਕਟ-ਗੈਪ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਸਮੱਗਰੀ ਜਿਸ ਵਿੱਚ ਜ਼ਿੰਕ ਬਲੈਂਡ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਬਣਤਰ ਹੈ, ਉੱਚ ਸ਼ੁੱਧਤਾ ਵਾਲੇ ਗੈਲਿਅਮ ਅਤੇ ਆਰਸੈਨਿਕ ਤੱਤਾਂ ਦੁਆਰਾ ਸੰਸ਼ਲੇਸ਼ਿਤ ਕੀਤੀ ਜਾਂਦੀ ਹੈ, ਅਤੇ ਵਰਟੀਕਲ ਗਰੇਡੀਐਂਟ ਫ੍ਰੀਜ਼ (VGF) ਵਿਧੀ ਦੁਆਰਾ ਉਗਾਈ ਗਈ ਸਿੰਗਲ ਕ੍ਰਿਸਟਲਿਨ ਇੰਗੌਟ ਤੋਂ ਵੇਫਰ ਅਤੇ ਖਾਲੀ ਵਿੱਚ ਕੱਟੇ ਅਤੇ ਬਣਾਏ ਜਾ ਸਕਦੇ ਹਨ। .ਇਸ ਦੇ ਸੰਤ੍ਰਿਪਤ ਹਾਲ ਦੀ ਗਤੀਸ਼ੀਲਤਾ ਅਤੇ ਉੱਚ ਸ਼ਕਤੀ ਅਤੇ ਤਾਪਮਾਨ ਸਥਿਰਤਾ ਲਈ ਧੰਨਵਾਦ, ਉਹ RF ਹਿੱਸੇ, ਮਾਈਕ੍ਰੋਵੇਵ ICs ਅਤੇ LED ਯੰਤਰ ਇਸ ਦੁਆਰਾ ਬਣਾਏ ਗਏ ਸਾਰੇ ਆਪਣੇ ਉੱਚ ਆਵਿਰਤੀ ਸੰਚਾਰ ਦ੍ਰਿਸ਼ਾਂ ਵਿੱਚ ਸ਼ਾਨਦਾਰ ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਨ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰਦੇ ਹਨ।ਇਸ ਦੌਰਾਨ, ਇਸਦੀ ਯੂਵੀ ਲਾਈਟ ਟਰਾਂਸਮਿਸ਼ਨ ਕੁਸ਼ਲਤਾ ਇਸ ਨੂੰ ਫੋਟੋਵੋਲਟੇਇਕ ਉਦਯੋਗ ਵਿੱਚ ਇੱਕ ਸਾਬਤ ਬੁਨਿਆਦੀ ਸਮੱਗਰੀ ਬਣਨ ਦੀ ਆਗਿਆ ਦਿੰਦੀ ਹੈ।ਵੈਸਟਰਨ ਮਿਨਮੈਟਲਸ (SC) ਕਾਰਪੋਰੇਸ਼ਨ ਵਿਖੇ ਗੈਲਿਅਮ ਆਰਸੈਨਾਈਡ GaAs ਵੇਫਰ ਨੂੰ 6N 7N ਸ਼ੁੱਧਤਾ ਦੇ ਨਾਲ 6" ਜਾਂ 150mm ਵਿਆਸ ਤੱਕ ਡਿਲੀਵਰ ਕੀਤਾ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ, ਅਤੇ ਗੈਲਿਅਮ ਆਰਸੇਨਾਈਡ ਮਕੈਨੀਕਲ ਗ੍ਰੇਡ ਸਬਸਟਰੇਟ ਵੀ ਉਪਲਬਧ ਹਨ। 99.999% 5N, 99.9999% 6N, 99.99999% 7N ਵੈਸਟਰਨ ਮਿਨਮੈਟਲਜ਼ (SC) ਕਾਰਪੋਰੇਸ਼ਨ ਤੋਂ ਪ੍ਰਦਾਨ ਕੀਤੇ ਗਏ ਵੀ ਉਪਲਬਧ ਹਨ ਜਾਂ ਬੇਨਤੀ ਕਰਨ 'ਤੇ ਅਨੁਕੂਲਿਤ ਨਿਰਧਾਰਨ ਵਜੋਂ ਉਪਲਬਧ ਹਨ।

ਇੰਡੀਅਮ ਆਰਸੈਨਾਈਡ

ਇੰਡੀਅਮ ਆਰਸੇਨਾਈਡ InAs, ਜ਼ਿੰਕ-ਬਲੇਂਡ ਬਣਤਰ ਵਿੱਚ ਇੱਕ ਡਾਇਰੈਕਟ-ਬੈਂਡ-ਗੈਪ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਕ੍ਰਿਸਟਲਾਈਜ਼ਿੰਗ, ਉੱਚ ਸ਼ੁੱਧਤਾ ਵਾਲੇ ਇੰਡੀਅਮ ਅਤੇ ਆਰਸੈਨਿਕ ਤੱਤਾਂ ਦੁਆਰਾ ਮਿਸ਼ਰਤ, ਲਿਕਵਿਡ ਐਨਕੈਪਸੁਲੇਟਡ ਜ਼ੋਕ੍ਰਾਲਸਕੀ (LEC) ਵਿਧੀ ਦੁਆਰਾ ਉਗਾਇਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ, ਨੂੰ ਇੱਕਲੇ ਕ੍ਰਿਸਟਲਿਨ ਇੰਗੋਟ ਤੋਂ ਵੇਫਰ ਵਿੱਚ ਕੱਟਿਆ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ ਅਤੇ ਬਣਾਇਆ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ।ਘੱਟ ਵਿਸਥਾਪਨ ਘਣਤਾ ਪਰ ਨਿਰੰਤਰ ਜਾਲੀ ਦੇ ਕਾਰਨ, InAs ਵਿਪਰੀਤ InAsSb, InAsPSb ਅਤੇ InNAsSb ਬਣਤਰਾਂ, ਜਾਂ AlGaSb ਸੁਪਰਲੈਟੀਸ ਬਣਤਰ ਦਾ ਸਮਰਥਨ ਕਰਨ ਲਈ ਇੱਕ ਆਦਰਸ਼ ਸਬਸਟਰੇਟ ਹੈ।ਇਸ ਲਈ, ਇਹ 2-14 μm ਵੇਵ ਰੇਂਜ ਇਨਫਰਾਰੈੱਡ ਐਮੀਟਿੰਗ ਡਿਵਾਈਸਾਂ ਦੇ ਨਿਰਮਾਣ ਵਿੱਚ ਇੱਕ ਮਹੱਤਵਪੂਰਣ ਭੂਮਿਕਾ ਅਦਾ ਕਰਦਾ ਹੈ।ਇਸ ਤੋਂ ਇਲਾਵਾ, InAs ਦੀ ਸਰਵਉੱਚ ਹਾਲ ਗਤੀਸ਼ੀਲਤਾ ਪਰ ਤੰਗ ਊਰਜਾ ਬੈਂਡਗੈਪ ਇਸ ਨੂੰ ਹਾਲ ਦੇ ਹਿੱਸਿਆਂ ਜਾਂ ਹੋਰ ਲੇਜ਼ਰ ਅਤੇ ਰੇਡੀਏਸ਼ਨ ਉਪਕਰਣਾਂ ਦੇ ਨਿਰਮਾਣ ਲਈ ਮਹਾਨ ਸਬਸਟਰੇਟ ਬਣਨ ਦੀ ਆਗਿਆ ਦਿੰਦਾ ਹੈ।99.99% 4N, 99.999% 5N, 99.9999% 6N ਦੀ ਸ਼ੁੱਧਤਾ ਦੇ ਨਾਲ ਵੈਸਟਰਨ ਮਿਨਮੈਟਲਸ (SC) ਕਾਰਪੋਰੇਸ਼ਨ ਵਿਖੇ ਇੰਡੀਅਮ ਆਰਸੈਨਾਈਡ InAs 2" 3" 4" ਵਿਆਸ ਦੇ ਘਟਾਓਣਾ ਵਿੱਚ ਡਿਲੀਵਰ ਕੀਤਾ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ। ਇਸ ਦੌਰਾਨ, ਇੰਡੀਅਮ ਆਰਸੇਨਾਈਡ ਪੌਲੀਕ੍ਰਿਸਟਲਾਈਨ ਮਿਨਮੈਟਲਸ (SC) ) ਕਾਰਪੋਰੇਸ਼ਨ ਵੀ ਉਪਲਬਧ ਹੈ ਜਾਂ ਬੇਨਤੀ ਕਰਨ 'ਤੇ ਕਸਟਮਾਈਜ਼ਡ ਸਪੈਸੀਫਿਕੇਸ਼ਨ ਦੇ ਰੂਪ ਵਿੱਚ।

ਨਿਓਬੀਅਮ ਆਰਸੈਨਾਈਡ

Nਆਇਓਬੀਅਮ ਆਰਸੇਨਾਈਡ ਐਨ.ਬੀ₅As₃ or NbAs,ਆਫ-ਵਾਈਟ ਜਾਂ ਸਲੇਟੀ ਕ੍ਰਿਸਟਲਿਨ ਠੋਸ, CAS No.12255-08-2, ਫਾਰਮੂਲਾ ਭਾਰ 653.327 Nb₅As₃ਅਤੇ 167.828 NbAs, NbAs,Nb5As3, NbAs4 …ਆਦਿ ਰਚਨਾ ਦੇ ਨਾਲ ਨਾਈਓਬੀਅਮ ਅਤੇ ਆਰਸੈਨਿਕ ਦਾ ਇੱਕ ਬਾਈਨਰੀ ਮਿਸ਼ਰਣ ਹੈ ... CVD ਵਿਧੀ ਦੁਆਰਾ ਸੰਸ਼ਲੇਸ਼ਿਤ, ਇਹਨਾਂ ਠੋਸ ਲੂਣਾਂ ਵਿੱਚ ਬਹੁਤ ਜ਼ਿਆਦਾ ਜਾਲੀ ਊਰਜਾ ਹੁੰਦੀ ਹੈ ਅਤੇ ਆਰਸੈਨਿਕ ਦੇ ਅੰਦਰੂਨੀ ਜ਼ਹਿਰੀਲੇ ਹੋਣ ਕਾਰਨ ਜ਼ਹਿਰੀਲੇ ਹੁੰਦੇ ਹਨ।ਉੱਚ ਤਾਪਮਾਨ ਦਾ ਥਰਮਲ ਵਿਸ਼ਲੇਸ਼ਣ NdAs ਨੂੰ ਗਰਮ ਕਰਨ 'ਤੇ ਆਰਸੈਨਿਕ ਅਸਥਿਰਤਾ ਨੂੰ ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਿਤ ਕਰਦਾ ਹੈ। ਨਿਓਬੀਅਮ ਆਰਸੇਨਾਈਡ, ਇੱਕ ਵੇਇਲ ਸੈਮੀਮੈਟਲ, ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ, ਫੋਟੋ ਆਪਟਿਕ, ਲੇਜ਼ਰ ਲਾਈਟ-ਇਮੀਟਿੰਗ ਡਾਇਡਸ, ਕੁਆਂਟਮ ਡੌਟਸ, ਆਪਟੀਕਲ ਅਤੇ ਪ੍ਰੈਸ਼ਰ ਸੈਂਸਰ, ਇੰਟਰਮੀਡੀਏਟਸ ਦੇ ਤੌਰ ਤੇ, ਅਤੇ ਸੁਪਰਕੰਡਕਟਰ ਆਦਿ ਬਣਾਉਣ ਲਈ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨਾਂ ਵਿੱਚ ਇੱਕ ਕਿਸਮ ਦਾ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਅਤੇ ਫੋਟੋਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਸਮੱਗਰੀ ਹੈ। ਨਿਓਬੀਅਮ ਆਰਸੇਨਾਈਡ Nb₅As₃ਜਾਂ ਵੈਸਟਰਨ ਮਿਨਮੈਟਲਜ਼ (SC) ਕਾਰਪੋਰੇਸ਼ਨ ਵਿਖੇ 99.99% 4N ਦੀ ਸ਼ੁੱਧਤਾ ਵਾਲੇ NbAs ਨੂੰ ਪਾਊਡਰ, ਗ੍ਰੈਨਿਊਲ, ਗੰਢ, ਟਾਰਗੇਟ ਅਤੇ ਬਲਕ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਆਦਿ ਦੇ ਰੂਪ ਵਿੱਚ ਜਾਂ ਕਸਟਮਾਈਜ਼ਡ ਸਪੈਸੀਫਿਕੇਸ਼ਨ ਦੇ ਰੂਪ ਵਿੱਚ ਡਿਲੀਵਰ ਕੀਤਾ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ, ਜਿਸ ਨੂੰ ਚੰਗੀ ਤਰ੍ਹਾਂ ਬੰਦ, ਰੋਸ਼ਨੀ-ਰੋਧਕ ਵਿੱਚ ਰੱਖਿਆ ਜਾਣਾ ਚਾਹੀਦਾ ਹੈ। , ਸੁੱਕੀ ਅਤੇ ਠੰਡੀ ਜਗ੍ਹਾ।