ਇੰਡੀਅਮ ਆਰਸੇਨਾਈਡ InAs

ਵਰਣਨ

ਇੰਡੀਅਮ ਆਰਸੈਨਾਈਡ InAs ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਗਰੁੱਪ III-V ਦਾ ਇੱਕ ਮਿਸ਼ਰਿਤ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਹੈ ਜੋ ਘੱਟੋ-ਘੱਟ 6N 7N ਸ਼ੁੱਧ ਇੰਡੀਅਮ ਅਤੇ ਆਰਸੈਨਿਕ ਤੱਤ ਦੁਆਰਾ ਸੰਸ਼ਲੇਸ਼ਿਤ ਕੀਤਾ ਗਿਆ ਹੈ ਅਤੇ VGF ਜਾਂ ਲਿਕਵਿਡ ਐਨਕੈਪਸੂਲੇਟਡ ਜ਼ੋਕ੍ਰਾਲਸਕੀ (LEC) ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਦੁਆਰਾ ਉਗਾਇਆ ਗਿਆ ਸਿੰਗਲ ਕ੍ਰਿਸਟਲ, ਸਲੇਟੀ ਰੰਗ ਦੀ ਦਿੱਖ, ਘਣ-ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਬਣਤਰ ਦੇ ਨਾਲ , ਪਿਘਲਣ ਦਾ ਬਿੰਦੂ 942 °C.ਇੰਡੀਅਮ ਆਰਸੈਨਾਈਡ ਬੈਂਡ ਗੈਪ ਇੱਕ ਸਿੱਧਾ ਪਰਿਵਰਤਨ ਹੈ ਜੋ ਗੈਲਿਅਮ ਆਰਸੈਨਾਈਡ ਵਰਗਾ ਹੈ, ਅਤੇ ਵਰਜਿਤ ਬੈਂਡ ਚੌੜਾਈ 0.45eV (300K) ਹੈ।InAs ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਵਿੱਚ ਬਿਜਲੀ ਦੇ ਮਾਪਦੰਡਾਂ ਦੀ ਉੱਚ ਇਕਸਾਰਤਾ, ਨਿਰੰਤਰ ਜਾਲੀ, ਉੱਚ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਨ ਗਤੀਸ਼ੀਲਤਾ ਅਤੇ ਘੱਟ ਨੁਕਸ ਘਣਤਾ ਹੁੰਦੀ ਹੈ।VGF ਜਾਂ LEC ਦੁਆਰਾ ਉਗਾਇਆ ਗਿਆ ਇੱਕ ਸਿਲੰਡਰ InAs ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਨੂੰ ਕੱਟਿਆ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ ਅਤੇ MBE ਜਾਂ MOCVD ਐਪੀਟੈਕਸੀਲ ਵਾਧੇ ਲਈ ਵੇਫਰ ਦੇ ਰੂਪ ਵਿੱਚ ਕੱਟਿਆ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ, ਨੱਕਾਸ਼ੀ, ਪਾਲਿਸ਼ ਕੀਤਾ ਜਾਂ ਐਪੀ-ਤਿਆਰ ਕੀਤਾ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ।

ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨਾਂ

ਇੰਡੀਅਮ ਆਰਸੈਨਾਈਡ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਵੇਫਰ ਇਸਦੀ ਸਰਵੋਤਮ ਹਾਲ ਗਤੀਸ਼ੀਲਤਾ ਪਰ ਤੰਗ ਊਰਜਾ ਬੈਂਡਗੈਪ ਲਈ ਹਾਲ ਡਿਵਾਈਸਾਂ ਅਤੇ ਚੁੰਬਕੀ ਫੀਲਡ ਸੈਂਸਰ ਬਣਾਉਣ ਲਈ ਇੱਕ ਵਧੀਆ ਸਬਸਟਰੇਟ ਹੈ, ਉੱਚ-ਪਾਵਰ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨਾਂ ਵਿੱਚ ਵਰਤੀ ਜਾਂਦੀ 1–3.8 µm ਦੀ ਤਰੰਗ-ਲੰਬਾਈ ਰੇਂਜ ਵਾਲੇ ਇਨਫਰਾਰੈੱਡ ਡਿਟੈਕਟਰਾਂ ਦੇ ਨਿਰਮਾਣ ਲਈ ਇੱਕ ਆਦਰਸ਼ ਸਮੱਗਰੀ ਹੈ। ਕਮਰੇ ਦੇ ਤਾਪਮਾਨ 'ਤੇ, ਅਤੇ ਨਾਲ ਹੀ ਮੱਧ ਤਰੰਗ-ਲੰਬਾਈ ਇਨਫਰਾਰੈੱਡ ਸੁਪਰ ਜਾਲੀ ਲੇਜ਼ਰ, ਮੱਧ-ਇਨਫਰਾਰੈੱਡ LEDs ਯੰਤਰ ਇਸਦੀ 2-14 μm ਤਰੰਗ-ਲੰਬਾਈ ਦੀ ਰੇਂਜ ਲਈ ਫੈਬਰੀਕੇਸ਼ਨ।ਇਸ ਤੋਂ ਇਲਾਵਾ, InAs ਵਿਪਰੀਤ InGaAs, InAsSb, InAsPSb ਅਤੇ InNAsSb ਜਾਂ AlGaSb ਸੁਪਰ ਜਾਲੀ ਬਣਤਰ ਆਦਿ ਦਾ ਸਮਰਥਨ ਕਰਨ ਲਈ ਇੱਕ ਆਦਰਸ਼ ਸਬਸਟਰੇਟ ਹੈ।

ਹੁਣ ਪੁੱਛਗਿੱਛ

ਵੇਰਵੇ

ਟੈਗਸ

ਤਕਨੀਕੀ ਨਿਰਧਾਰਨ

ਇੰਡੀਅਮ ਆਰਸੈਨਾਈਡ

InAs

ਇੰਡੀਅਮ ਆਰਸੇਨਾਈਡ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਵੇਫਰਇਸਦੀ ਸਰਵੋਤਮ ਹਾਲ ਗਤੀਸ਼ੀਲਤਾ ਲਈ ਹਾਲ ਯੰਤਰਾਂ ਅਤੇ ਚੁੰਬਕੀ ਖੇਤਰ ਸੰਵੇਦਕ ਬਣਾਉਣ ਲਈ ਇੱਕ ਵਧੀਆ ਸਬਸਟਰੇਟ ਹੈ ਪਰ ਤੰਗ ਊਰਜਾ ਬੈਂਡਗੈਪ, ਕਮਰੇ ਦੇ ਤਾਪਮਾਨ 'ਤੇ ਉੱਚ-ਪਾਵਰ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨਾਂ ਵਿੱਚ ਵਰਤੇ ਜਾਂਦੇ 1–3.8 µm ਦੀ ਵੇਵ-ਲੰਬਾਈ ਰੇਂਜ ਵਾਲੇ ਇਨਫਰਾਰੈੱਡ ਡਿਟੈਕਟਰਾਂ ਦੇ ਨਿਰਮਾਣ ਲਈ ਇੱਕ ਆਦਰਸ਼ ਸਮੱਗਰੀ, ਇਸ ਦੇ ਨਾਲ ਹੀ ਮੱਧ ਤਰੰਗ-ਲੰਬਾਈ ਇਨਫਰਾਰੈੱਡ ਸੁਪਰ ਜਾਲੀ ਲੇਜ਼ਰ, ਮੱਧ-ਇਨਫਰਾਰੈੱਡ LEDs ਯੰਤਰ ਇਸਦੀ 2-14 μm ਵੇਵ-ਲੰਬਾਈ ਰੇਂਜ ਲਈ ਫੈਬਰੀਕੇਸ਼ਨ।ਇਸ ਤੋਂ ਇਲਾਵਾ, InAs ਵਿਪਰੀਤ InGaAs, InAsSb, InAsPSb ਅਤੇ InNAsSb ਜਾਂ AlGaSb ਸੁਪਰ ਜਾਲੀ ਬਣਤਰ ਆਦਿ ਦਾ ਸਮਰਥਨ ਕਰਨ ਲਈ ਇੱਕ ਆਦਰਸ਼ ਸਬਸਟਰੇਟ ਹੈ।

ਨੰ.	ਇਕਾਈ	ਮਿਆਰੀ ਨਿਰਧਾਰਨ
1	ਆਕਾਰ	2"	3"	4"
2	ਵਿਆਸ ਮਿਲੀਮੀਟਰ	50.5±0.5	76.2±0.5	100±0.5
3	ਵਿਕਾਸ ਵਿਧੀ	ਐਲ.ਈ.ਸੀ	ਐਲ.ਈ.ਸੀ	ਐਲ.ਈ.ਸੀ
4	ਸੰਚਾਲਕਤਾ	ਪੀ-ਟਾਈਪ/ਜ਼ੈਡ-ਡੋਪਡ, ਐਨ-ਟਾਈਪ/ਐੱਸ-ਡੋਪਡ, ਅਨ-ਡੋਪਡ
5	ਸਥਿਤੀ	(100)±0.5°, (111)±0.5°
6	ਮੋਟਾਈ μm	500±25	600±25	800±25
7	ਓਰੀਐਂਟੇਸ਼ਨ ਫਲੈਟ mm	16±2	22±2	32±2
8	ਪਛਾਣ ਫਲੈਟ mm	8±1	11±1	18±1
9	ਗਤੀਸ਼ੀਲਤਾ cm2/Vs	60-300, ≥2000 ਜਾਂ ਲੋੜ ਅਨੁਸਾਰ
10	ਕੈਰੀਅਰ ਇਕਾਗਰਤਾ cm-3	(3-80)E17 ਜਾਂ ≤5E16
11	TTV μm ਅਧਿਕਤਮ	10	10	10
12	ਬੋਅ μm ਅਧਿਕਤਮ	10	10	10
13	ਵਾਰਪ μm ਅਧਿਕਤਮ	15	15	15
14	ਡਿਸਲੋਕੇਸ਼ਨ ਘਣਤਾ cm-2 ਅਧਿਕਤਮ	1000	2000	5000
15	ਸਰਫੇਸ ਫਿਨਿਸ਼	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
16	ਪੈਕਿੰਗ	ਸਿੰਗਲ ਵੇਫਰ ਕੰਟੇਨਰ ਅਲਮੀਨੀਅਮ ਬੈਗ ਵਿੱਚ ਸੀਲ ਕੀਤਾ ਗਿਆ ਹੈ।

ਰੇਖਿਕ ਫਾਰਮੂਲਾ	InAs
ਅਣੂ ਭਾਰ	189.74
ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਬਣਤਰ	ਜ਼ਿੰਕ ਮਿਸ਼ਰਣ
ਦਿੱਖ	ਸਲੇਟੀ ਕ੍ਰਿਸਟਲਿਨ ਠੋਸ
ਪਿਘਲਣ ਬਿੰਦੂ	(936-942)°C
ਉਬਾਲਣ ਬਿੰਦੂ	N/A
300K 'ਤੇ ਘਣਤਾ	5.67 ਗ੍ਰਾਮ/ਸੈ.ਮੀ³
ਐਨਰਜੀ ਗੈਪ	0.354 ਈ.ਵੀ
ਅੰਦਰੂਨੀ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧਕਤਾ	0.16 Ω-ਸੈ.ਮੀ
CAS ਨੰਬਰ	1303-11-3
EC ਨੰਬਰ	215-115-3

ਇੰਡੀਅਮ ਆਰਸੇਨਾਈਡ InAsਵੈਸਟਰਨ ਮਿਨਮੈਟਲਜ਼ (SC) ਕਾਰਪੋਰੇਸ਼ਨ ਵਿੱਚ 2” 3” ਅਤੇ 4” (50mm, 75mm,100mm) ਵਿਆਸ ਦੇ ਆਕਾਰ ਵਿੱਚ ਪੌਲੀਕ੍ਰਿਸਟਲਾਈਨ ਲੰੰਪ ਜਾਂ ਸਿੰਗਲ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਐਜ਼-ਕੱਟ, ਐਚਡ, ਪਾਲਿਸ਼ਡ, ਜਾਂ ਐਪੀ-ਰੈਡੀ ਵੇਫਰਾਂ ਵਜੋਂ ਸਪਲਾਈ ਕੀਤਾ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ, ਅਤੇ p-type, n-type ਜਾਂ un-doped conductivity and <111> ਜਾਂ <100> ਸਥਿਤੀ।ਕਸਟਮਾਈਜ਼ਡ ਸਪੈਸੀਫਿਕੇਸ਼ਨ ਦੁਨੀਆ ਭਰ ਦੇ ਸਾਡੇ ਗਾਹਕਾਂ ਲਈ ਸੰਪੂਰਣ ਹੱਲ ਲਈ ਹੈ।