ਗੈਲਿਅਮ ਫਾਸਫਾਈਡ ਗੈਪ

ਵਰਣਨ

ਗੈਲਿਅਮ ਫਾਸਫਾਈਡ ਗੈਪ, ਹੋਰ III-V ਮਿਸ਼ਰਿਤ ਸਮੱਗਰੀਆਂ ਦੇ ਰੂਪ ਵਿੱਚ ਵਿਲੱਖਣ ਬਿਜਲਈ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਦਾ ਇੱਕ ਮਹੱਤਵਪੂਰਨ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ, ਥਰਮੋਡਾਇਨਾਮਿਕ ਤੌਰ 'ਤੇ ਸਥਿਰ ਘਣ ZB ਢਾਂਚੇ ਵਿੱਚ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਹੁੰਦਾ ਹੈ, 2.26 eV (300K) ਦੇ ਅਸਿੱਧੇ ਬੈਂਡ ਗੈਪ ਨਾਲ ਇੱਕ ਸੰਤਰੀ-ਪੀਲਾ ਅਰਧ-ਪਾਰਦਰਸ਼ੀ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਸਮੱਗਰੀ ਹੈ, ਜੋ ਕਿ ਹੈ। 6N 7N ਉੱਚ ਸ਼ੁੱਧਤਾ ਵਾਲੇ ਗੈਲਿਅਮ ਅਤੇ ਫਾਸਫੋਰਸ ਤੋਂ ਸੰਸ਼ਲੇਸ਼ਣ ਕੀਤਾ ਗਿਆ, ਅਤੇ ਲਿਕਵਿਡ ਐਨਕੈਪਸੁਲੇਟਡ ਜ਼ੋਕ੍ਰਾਲਸਕੀ (LEC) ਤਕਨੀਕ ਦੁਆਰਾ ਸਿੰਗਲ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਵਿੱਚ ਉਗਾਇਆ ਗਿਆ।ਗੈਲਿਅਮ ਫਾਸਫਾਈਡ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਨੂੰ ਐੱਨ-ਟਾਈਪ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰਨ ਲਈ ਸਲਫਰ ਜਾਂ ਟੇਲੂਰੀਅਮ ਨੂੰ ਡੋਪ ਕੀਤਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ, ਅਤੇ ਲੋੜੀਂਦੇ ਵੇਫਰ ਵਿੱਚ ਹੋਰ ਘੜਨ ਲਈ ਪੀ-ਟਾਈਪ ਕੰਡਕਟੀਵਿਟੀ ਵਜੋਂ ਜ਼ਿੰਕ ਡੋਪ ਕੀਤਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ, ਜਿਸ ਵਿੱਚ ਆਪਟੀਕਲ ਸਿਸਟਮ, ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕ ਅਤੇ ਹੋਰ ਆਪਟੋਇਲੈਕਟ੍ਰੋਨਿਕ ਉਪਕਰਣਾਂ ਵਿੱਚ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨ ਹਨ।ਸਿੰਗਲ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਗੈਪ ਵੇਫਰ ਨੂੰ ਤੁਹਾਡੇ ਐਲਪੀਈ, ਐਮਓਸੀਵੀਡੀ ਅਤੇ ਐਮਬੀਈ ਐਪੀਟੈਕਸੀਅਲ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨ ਲਈ ਐਪੀ-ਰੈਡੀ ਤਿਆਰ ਕੀਤਾ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ।ਵੈਸਟਰਨ ਮਿਨਮੈਟਲਸ (SC) ਕਾਰਪੋਰੇਸ਼ਨ ਵਿਖੇ ਉੱਚ ਕੁਆਲਿਟੀ ਸਿੰਗਲ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਗੈਲਿਅਮ ਫਾਸਫਾਈਡ ਗੈਪ ਵੇਫਰ ਪੀ-ਟਾਈਪ, ਐਨ-ਟਾਈਪ ਜਾਂ ਅਨਡੋਪਡ ਕੰਡਕਟੀਵਿਟੀ 2″ ਅਤੇ 3” (50mm, 75mm ਵਿਆਸ), ਸਥਿਤੀ <100>, <111 ਦੇ ਆਕਾਰ ਵਿੱਚ ਪੇਸ਼ ਕੀਤੀ ਜਾ ਸਕਦੀ ਹੈ। > ਜਿਵੇਂ-ਕੱਟ, ਪਾਲਿਸ਼ ਕੀਤੀ ਜਾਂ ਐਪੀ-ਰੈਡੀ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਦੀ ਸਤਹ ਮੁਕੰਮਲ ਹੋਣ ਦੇ ਨਾਲ।

ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨਾਂ

ਘੱਟ ਕਰੰਟ ਅਤੇ ਲਾਈਟ ਐਮੀਟਿੰਗ ਵਿੱਚ ਉੱਚ ਕੁਸ਼ਲਤਾ ਦੇ ਨਾਲ, ਗੈਲਿਅਮ ਫਾਸਫਾਈਡ ਗੈਪ ਵੇਫਰ ਘੱਟ ਕੀਮਤ ਵਾਲੇ ਲਾਲ, ਸੰਤਰੀ, ਅਤੇ ਹਰੇ ਰੋਸ਼ਨੀ-ਇਮੀਟਿੰਗ ਡਾਇਡਸ (ਐਲਈਡੀ) ਅਤੇ ਪੀਲੇ ਅਤੇ ਹਰੇ ਐਲਸੀਡੀ ਆਦਿ ਦੀ ਬੈਕਲਾਈਟ ਅਤੇ ਐਲਈਡੀ ਚਿਪਸ ਦੇ ਨਾਲ ਨਿਰਮਾਣ ਕਰਨ ਵਾਲੇ ਆਪਟੀਕਲ ਡਿਸਪਲੇ ਸਿਸਟਮ ਲਈ ਢੁਕਵਾਂ ਹੈ। ਘੱਟ ਤੋਂ ਮੱਧਮ ਚਮਕ, GaP ਨੂੰ ਇਨਫਰਾਰੈੱਡ ਸੈਂਸਰਾਂ ਅਤੇ ਨਿਗਰਾਨੀ ਕੈਮਰੇ ਨਿਰਮਾਣ ਲਈ ਬੁਨਿਆਦੀ ਸਬਸਟਰੇਟ ਵਜੋਂ ਵੀ ਵਿਆਪਕ ਤੌਰ 'ਤੇ ਅਪਣਾਇਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ।

.