ਗੈਲਿਅਮ ਆਰਸੇਨਾਈਡ GaAs

ਵਰਣਨ

ਗੈਲਿਅਮ ਆਰਸੈਨਾਈਡGaAs ਹੈ ਗਰੁੱਪ III-V ਦਾ ਡਾਇਰੈਕਟ ਬੈਂਡ ਗੈਪ ਕੰਪਾਊਂਡ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ, ਘੱਟੋ-ਘੱਟ 6N 7N ਉੱਚ ਸ਼ੁੱਧਤਾ ਵਾਲੇ ਗੈਲਿਅਮ ਅਤੇ ਆਰਸੈਨਿਕ ਤੱਤ ਦੁਆਰਾ ਸੰਸ਼ਲੇਸ਼ਿਤ, ਅਤੇ ਉੱਚ ਸ਼ੁੱਧਤਾ ਵਾਲੇ ਪੌਲੀਕ੍ਰਿਸਟਲਾਈਨ ਗੈਲਿਅਮ ਆਰਸੈਨਾਈਡ, ਸਲੇਟੀ ਰੰਗ ਦੀ ਦਿੱਖ, ਜ਼ਿੰਕ-ਬਲੇਂਡ ਬਣਤਰ ਵਾਲੇ ਕਿਊਬਿਕ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਤੋਂ VGF ਜਾਂ LEC ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਦੁਆਰਾ ਵਧਿਆ ਹੋਇਆ ਕ੍ਰਿਸਟਲ।ਕ੍ਰਮਵਾਰ n-ਟਾਈਪ ਜਾਂ ਪੀ-ਟਾਈਪ ਅਤੇ ਅਰਧ-ਇੰਸੂਲੇਟਿੰਗ ਕੰਡਕਟੀਵਿਟੀ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰਨ ਲਈ ਕਾਰਬਨ, ਸਿਲੀਕਾਨ, ਟੇਲੂਰੀਅਮ ਜਾਂ ਜ਼ਿੰਕ ਦੀ ਡੋਪਿੰਗ ਦੇ ਨਾਲ, ਇੱਕ ਸਿਲੰਡਰ InAs ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਨੂੰ ਕੱਟਿਆ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ ਅਤੇ ਖਾਲੀ ਅਤੇ ਵੇਫਰ ਵਿੱਚ ਜਿਵੇਂ-ਕੱਟ, ਨੱਕਾਸ਼ੀ, ਪਾਲਿਸ਼ ਜਾਂ ਐਪੀ. - MBE ਜਾਂ MOCVD ਐਪੀਟੈਕਸੀਲ ਵਿਕਾਸ ਲਈ ਤਿਆਰ।ਗੈਲਿਅਮ ਆਰਸੇਨਾਈਡ ਵੇਫਰ ਮੁੱਖ ਤੌਰ 'ਤੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕ ਯੰਤਰਾਂ ਜਿਵੇਂ ਕਿ ਇਨਫਰਾਰੈੱਡ ਲਾਈਟ-ਐਮੀਟਿੰਗ ਡਾਇਡਸ, ਲੇਜ਼ਰ ਡਾਇਡਸ, ਆਪਟੀਕਲ ਵਿੰਡੋਜ਼, ਫੀਲਡ-ਇਫੈਕਟ ਟ੍ਰਾਂਜ਼ਿਸਟਰ ਐੱਫ.ਈ.ਟੀ., ਡਿਜੀਟਲ ਆਈਸੀ ਅਤੇ ਸੋਲਰ ਸੈੱਲਾਂ ਦੇ ਲੀਨੀਅਰ ਬਣਾਉਣ ਲਈ ਵਰਤਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ।GaAs ਕੰਪੋਨੈਂਟ ਅਤਿ-ਉੱਚ ਰੇਡੀਓ ਫ੍ਰੀਕੁਐਂਸੀ ਅਤੇ ਤੇਜ਼ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕ ਸਵਿਚਿੰਗ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨ, ਕਮਜ਼ੋਰ-ਸਿਗਨਲ ਐਂਪਲੀਫਿਕੇਸ਼ਨ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨਾਂ ਵਿੱਚ ਉਪਯੋਗੀ ਹਨ।ਇਸ ਤੋਂ ਇਲਾਵਾ, ਗੈਲਿਅਮ ਆਰਸੈਨਾਈਡ ਸਬਸਟਰੇਟ ਇਸਦੀ ਸੰਤ੍ਰਿਪਤ ਹਾਲ ਗਤੀਸ਼ੀਲਤਾ, ਉੱਚ ਸ਼ਕਤੀ ਅਤੇ ਤਾਪਮਾਨ ਸਥਿਰਤਾ ਲਈ ਆਪਟੀਕਲ ਸੰਚਾਰ ਅਤੇ ਨਿਯੰਤਰਣ ਪ੍ਰਣਾਲੀਆਂ ਵਿੱਚ ਆਰਐਫ ਕੰਪੋਨੈਂਟਸ, ਮਾਈਕ੍ਰੋਵੇਵ ਬਾਰੰਬਾਰਤਾ ਅਤੇ ਮੋਨੋਲਿਥਿਕ ਆਈਸੀ, ਅਤੇ ਐਲਈਡੀ ਉਪਕਰਣਾਂ ਦੇ ਨਿਰਮਾਣ ਲਈ ਇੱਕ ਆਦਰਸ਼ ਸਮੱਗਰੀ ਹੈ।

ਡਿਲਿਵਰੀ

ਵੈਸਟਰਨ ਮਿਨਮੈਟਲਸ (SC) ਕਾਰਪੋਰੇਸ਼ਨ ਵਿਖੇ ਗੈਲਿਅਮ ਆਰਸੇਨਾਈਡ GaAs ਨੂੰ 2” 3” 4” ਅਤੇ 6” (50mm, 75mm, 100mm, 150mm) ਵਿਆਸ, p-ਕਿਸਮ, n-ਕਿਸਮ ਜਾਂ ਅਰਧ-ਇੰਸੂਲੇਟਿੰਗ ਚਾਲਕਤਾ, ਅਤੇ <111> ਜਾਂ <100> ਸਥਿਤੀ ਦੇ ਨਾਲ।ਕਸਟਮਾਈਜ਼ਡ ਸਪੈਸੀਫਿਕੇਸ਼ਨ ਦੁਨੀਆ ਭਰ ਦੇ ਸਾਡੇ ਗਾਹਕਾਂ ਲਈ ਸੰਪੂਰਣ ਹੱਲ ਲਈ ਹੈ।

ਹੁਣ ਪੁੱਛਗਿੱਛ

ਵੇਰਵੇ

ਟੈਗਸ

ਤਕਨੀਕੀ ਨਿਰਧਾਰਨ

ਗੈਲਿਅਮ ਆਰਸੈਨਾਈਡ

GaAs

ਗੈਲਿਅਮ ਆਰਸੇਨਾਈਡ GaAsਵੇਫਰਾਂ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਮੁੱਖ ਤੌਰ 'ਤੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕ ਯੰਤਰਾਂ ਜਿਵੇਂ ਕਿ ਇਨਫਰਾਰੈੱਡ ਲਾਈਟ-ਐਮੀਟਿੰਗ ਡਾਇਡਸ, ਲੇਜ਼ਰ ਡਾਇਡਸ, ਆਪਟੀਕਲ ਵਿੰਡੋਜ਼, ਫੀਲਡ-ਇਫੈਕਟ ਟਰਾਂਜ਼ਿਸਟਰ FETs, ਡਿਜੀਟਲ ਆਈਸੀ ਦੇ ਲੀਨੀਅਰ ਅਤੇ ਸੋਲਰ ਸੈੱਲਾਂ ਨੂੰ ਬਣਾਉਣ ਲਈ ਕੀਤੀ ਜਾਂਦੀ ਹੈ।GaAs ਕੰਪੋਨੈਂਟ ਅਤਿ-ਉੱਚ ਰੇਡੀਓ ਫ੍ਰੀਕੁਐਂਸੀ ਅਤੇ ਤੇਜ਼ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕ ਸਵਿਚਿੰਗ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨ, ਕਮਜ਼ੋਰ-ਸਿਗਨਲ ਐਂਪਲੀਫਿਕੇਸ਼ਨ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨਾਂ ਵਿੱਚ ਉਪਯੋਗੀ ਹਨ।ਇਸ ਤੋਂ ਇਲਾਵਾ, ਗੈਲਿਅਮ ਆਰਸੈਨਾਈਡ ਸਬਸਟਰੇਟ ਇਸਦੀ ਸੰਤ੍ਰਿਪਤ ਹਾਲ ਗਤੀਸ਼ੀਲਤਾ, ਉੱਚ ਸ਼ਕਤੀ ਅਤੇ ਤਾਪਮਾਨ ਸਥਿਰਤਾ ਲਈ ਆਪਟੀਕਲ ਸੰਚਾਰ ਅਤੇ ਨਿਯੰਤਰਣ ਪ੍ਰਣਾਲੀਆਂ ਵਿੱਚ ਆਰਐਫ ਕੰਪੋਨੈਂਟਸ, ਮਾਈਕ੍ਰੋਵੇਵ ਬਾਰੰਬਾਰਤਾ ਅਤੇ ਮੋਨੋਲਿਥਿਕ ਆਈਸੀ, ਅਤੇ ਐਲਈਡੀ ਉਪਕਰਣਾਂ ਦੇ ਨਿਰਮਾਣ ਲਈ ਇੱਕ ਆਦਰਸ਼ ਸਮੱਗਰੀ ਹੈ।

ਨੰ.	ਇਕਾਈ	ਮਿਆਰੀ ਨਿਰਧਾਰਨ
1	ਆਕਾਰ	2"	3"	4"	6"
2	ਵਿਆਸ ਮਿਲੀਮੀਟਰ	50.8±0.3	76.2±0.3	100±0.5	150±0.5
3	ਵਿਕਾਸ ਵਿਧੀ	ਵੀ.ਜੀ.ਐੱਫ	ਵੀ.ਜੀ.ਐੱਫ	ਵੀ.ਜੀ.ਐੱਫ	ਵੀ.ਜੀ.ਐੱਫ
4	ਸੰਚਾਲਨ ਦੀ ਕਿਸਮ	N-Type/Si ਜਾਂ Te-doped, P-Type/Zn-doped, ਅਰਧ-ਇੰਸੂਲੇਟਿੰਗ/ਅਨ-ਡੋਪਡ
5	ਸਥਿਤੀ	(100)±0.5°	(100)±0.5°	(100)±0.5°	(100)±0.5°
6	ਮੋਟਾਈ μm	350±25	625±25	625±25	650±25
7	ਓਰੀਐਂਟੇਸ਼ਨ ਫਲੈਟ mm	17±1	22±1	32±1	ਨੌਚ
8	ਪਛਾਣ ਫਲੈਟ mm	7±1	12±1	18±1	-
9	ਪ੍ਰਤੀਰੋਧਕਤਾ Ω-ਸੈ.ਮੀ	(1-9)E(-3) p-ਕਿਸਮ ਜਾਂ n-ਟਾਈਪ ਲਈ, (1-10)E8 ਅਰਧ-ਇੰਸੂਲੇਟਿੰਗ ਲਈ
10	ਗਤੀਸ਼ੀਲਤਾ cm2/ਬਨਾਮ	ਪੀ-ਟਾਈਪ ਲਈ 50-120, n-ਟਾਈਪ ਲਈ (1-2.5)E3, ਅਰਧ-ਇੰਸੂਲੇਟਿੰਗ ਲਈ ≥4000
11	ਕੈਰੀਅਰ ਇਕਾਗਰਤਾ cm-3	(5-50)ਪੀ-ਟਾਈਪ ਲਈ E18, n-ਟਾਈਪ ਲਈ (0.8-4)E18
12	TTV μm ਅਧਿਕਤਮ	10	10	10	10
13	ਬੋਅ μm ਅਧਿਕਤਮ	30	30	30	30
14	ਵਾਰਪ μm ਅਧਿਕਤਮ	30	30	30	30
15	EPD cm-2	5000	5000	5000	5000
16	ਸਰਫੇਸ ਫਿਨਿਸ਼	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
17	ਪੈਕਿੰਗ	ਸਿੰਗਲ ਵੇਫਰ ਕੰਟੇਨਰ ਅਲਮੀਨੀਅਮ ਮਿਸ਼ਰਤ ਬੈਗ ਵਿੱਚ ਸੀਲ ਕੀਤਾ ਗਿਆ ਹੈ।
18	ਟਿੱਪਣੀਆਂ	ਮਕੈਨੀਕਲ ਗ੍ਰੇਡ GaAs ਵੇਫਰ ਬੇਨਤੀ 'ਤੇ ਵੀ ਉਪਲਬਧ ਹੈ।

ਰੇਖਿਕ ਫਾਰਮੂਲਾ	GaAs
ਅਣੂ ਭਾਰ	144.64
ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਬਣਤਰ	ਜ਼ਿੰਕ ਮਿਸ਼ਰਣ
ਦਿੱਖ	ਸਲੇਟੀ ਕ੍ਰਿਸਟਲਿਨ ਠੋਸ
ਪਿਘਲਣ ਬਿੰਦੂ	1400°C, 2550°F
ਉਬਾਲਣ ਬਿੰਦੂ	N/A
300K 'ਤੇ ਘਣਤਾ	5.32 ਗ੍ਰਾਮ/ਸੈ.ਮੀ³
ਐਨਰਜੀ ਗੈਪ	੧.੪੨੪ ਈ.ਵੀ
ਅੰਦਰੂਨੀ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧਕਤਾ	3.3E8 Ω-ਸੈ.ਮੀ
CAS ਨੰਬਰ	1303-00-0
EC ਨੰਬਰ	215-114-8

ਗੈਲਿਅਮ ਆਰਸੇਨਾਈਡ GaAsਵੈਸਟਰਨ ਮਿਨਮੈਟਲਜ਼ (SC) ਕਾਰਪੋਰੇਸ਼ਨ ਵਿੱਚ 2” 3” 4” ਅਤੇ 6” (50mm, 75mm, 100mm) ਦੇ ਆਕਾਰ ਵਿੱਚ ਏਜ਼-ਕੱਟ, ਐਚਡ, ਪਾਲਿਸ਼ਡ, ਜਾਂ ਐਪੀ-ਰੈਡੀ ਵੇਫਰ ਵਿੱਚ ਪੌਲੀਕ੍ਰਿਸਟਲਾਈਨ ਲੰੰਪ ਜਾਂ ਸਿੰਗਲ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਵੇਫਰ ਵਜੋਂ ਸਪਲਾਈ ਕੀਤਾ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ। , 150mm) ਵਿਆਸ, p-ਕਿਸਮ, n-ਕਿਸਮ ਜਾਂ ਅਰਧ-ਇੰਸੂਲੇਟਿੰਗ ਚਾਲਕਤਾ, ਅਤੇ <111> ਜਾਂ <100> ਸਥਿਤੀ ਦੇ ਨਾਲ।ਕਸਟਮਾਈਜ਼ਡ ਸਪੈਸੀਫਿਕੇਸ਼ਨ ਦੁਨੀਆ ਭਰ ਦੇ ਸਾਡੇ ਗਾਹਕਾਂ ਲਈ ਸੰਪੂਰਣ ਹੱਲ ਲਈ ਹੈ।