ਇੰਡੀਅਮ ਐਂਟੀਮੋਨਾਈਡ InSb

ਵਰਣਨ

Indium Antimonide InSb, ਜ਼ਿੰਕ-ਬਲੇਂਡ ਜਾਲੀ ਬਣਤਰ ਵਾਲੇ ਸਮੂਹ III–V ਕ੍ਰਿਸਟਲਿਨ ਮਿਸ਼ਰਣਾਂ ਦਾ ਇੱਕ ਅਰਧਕੰਡਕਟਰ, 6N 7N ਉੱਚ ਸ਼ੁੱਧਤਾ ਵਾਲੇ ਇੰਡੀਅਮ ਅਤੇ ਐਂਟੀਮੋਨੀ ਤੱਤਾਂ ਦੁਆਰਾ ਸੰਸ਼ਲੇਸ਼ਿਤ ਕੀਤਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ, ਅਤੇ VGF ਵਿਧੀ ਦੁਆਰਾ ਜਾਂ ਲਿਕਵਿਡ ਐਨਕੈਪਸੂਲੇਟਡ ਜ਼ੋਕ੍ਰਾਲਸਕੀ ਐਲਈਸੀ ਵਿਧੀ ਦੁਆਰਾ ਮਲਟੀਪਲ ਜ਼ੋਨ ਰਿਫਾਈਨਡ ਪੋਲੀਰੀਓਟ ਦੁਆਰਾ ਸੰਸ਼ਲੇਸ਼ਿਤ ਕੀਤਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ, ਜਿਸ ਨੂੰ ਕੱਟਿਆ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ ਅਤੇ ਵੇਫਰ ਵਿੱਚ ਬਣਾਇਆ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ ਅਤੇ ਬਾਅਦ ਵਿੱਚ ਬਲਾਕ ਕੀਤਾ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ।InSb ਕਮਰੇ ਦੇ ਤਾਪਮਾਨ 'ਤੇ 0.17eV ਦੇ ਤੰਗ ਬੈਂਡ ਗੈਪ, 1–5μm ਤਰੰਗ-ਲੰਬਾਈ ਲਈ ਉੱਚ ਸੰਵੇਦਨਸ਼ੀਲਤਾ ਅਤੇ ਅਤਿ ਉੱਚੀ ਹਾਲ ਗਤੀਸ਼ੀਲਤਾ ਦੇ ਨਾਲ ਇੱਕ ਸਿੱਧਾ ਪਰਿਵਰਤਨ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਹੈ।ਵੈਸਟਰਨ ਮਿਨਮੈਟਲਜ਼ (SC) ਕਾਰਪੋਰੇਸ਼ਨ ਵਿਖੇ ਇੰਡੀਅਮ ਐਂਟੀਮੋਨਾਈਡ InSb n-ਟਾਈਪ, ਪੀ-ਟਾਈਪ ਅਤੇ ਅਰਧ-ਇੰਸੂਲੇਟਿੰਗ ਕੰਡਕਟੀਵਿਟੀ 1″ 2″ 3″ ਅਤੇ 4″ (30mm, 50mm, 75mm, 100mm) ਵਿਆਸ, ਸਥਿਤੀ < ਦੇ ਆਕਾਰ ਵਿੱਚ ਪੇਸ਼ ਕੀਤੀ ਜਾ ਸਕਦੀ ਹੈ। 111> ਜਾਂ <100>, ਅਤੇ ਜਿਵੇਂ-ਕੱਟ, ਲੈਪਡ, ਐਚਡ ਅਤੇ ਪਾਲਿਸ਼ਡ ਦੇ ਵੇਫਰ ਸਤਹ ਫਿਨਿਸ਼ ਦੇ ਨਾਲ।ਅਨ-ਡੋਪਡ ਐਨ-ਟਾਈਪ ਦੇ ਨਾਲ Dia.50-80mm ਦਾ ਇੰਡੀਅਮ ਐਂਟੀਮੋਨਾਈਡ InSb ਟੀਚਾ ਵੀ ਉਪਲਬਧ ਹੈ।ਇਸ ਦੌਰਾਨ, ਪੌਲੀਕ੍ਰਿਸਟਲਾਈਨ ਇੰਡੀਅਮ ਐਂਟੀਮੋਨਾਈਡ InSb (ਮਲਟੀਕ੍ਰਿਸਟਲ InSb) ਅਨਿਯਮਿਤ ਗੱਠ ਦੇ ਆਕਾਰ ਦੇ ਨਾਲ, ਜਾਂ ਖਾਲੀ (15-40) x (40-80)mm, ਅਤੇ D30-80mm ਦੀ ਗੋਲ ਪੱਟੀ ਨੂੰ ਵੀ ਸੰਪੂਰਨ ਹੱਲ ਲਈ ਬੇਨਤੀ ਕਰਨ 'ਤੇ ਅਨੁਕੂਲਿਤ ਕੀਤਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ।

ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨ

ਇੰਡੀਅਮ ਐਂਟੀਮੋਨਾਈਡ InSb ਬਹੁਤ ਸਾਰੇ ਅਤਿ-ਆਧੁਨਿਕ ਕੰਪੋਨੈਂਟਸ ਅਤੇ ਡਿਵਾਈਸਾਂ ਦੇ ਉਤਪਾਦਨ ਲਈ ਇੱਕ ਆਦਰਸ਼ ਸਬਸਟਰੇਟ ਹੈ, ਜਿਵੇਂ ਕਿ ਉੱਨਤ ਥਰਮਲ ਇਮੇਜਿੰਗ ਹੱਲ, FLIR ਸਿਸਟਮ, ਹਾਲ ਐਲੀਮੈਂਟ ਅਤੇ ਮੈਗਨਟੋਰੇਸਿਸਟੈਂਸ ਇਫੈਕਟ ਐਲੀਮੈਂਟ, ਇਨਫਰਾਰੈੱਡ ਹੋਮਿੰਗ ਮਿਜ਼ਾਈਲ ਮਾਰਗਦਰਸ਼ਨ ਸਿਸਟਮ, ਉੱਚ-ਜਵਾਬਦੇਹ ਇਨਫਰਾਰੈੱਡ ਫੋਟੋਡਿਟੇਕਟਰ ਸੈਂਸਰ। , ਉੱਚ-ਸ਼ੁੱਧ ਚੁੰਬਕੀ ਅਤੇ ਰੋਟਰੀ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧਕ ਸੰਵੇਦਕ, ਫੋਕਲ ਪਲੈਨਰ ਐਰੇ, ਅਤੇ ਟੇਰਾਹਰਟਜ਼ ਰੇਡੀਏਸ਼ਨ ਸਰੋਤ ਦੇ ਰੂਪ ਵਿੱਚ ਅਤੇ ਇਨਫਰਾਰੈੱਡ ਖਗੋਲੀ ਸਪੇਸ ਟੈਲੀਸਕੋਪ ਆਦਿ ਵਿੱਚ ਵੀ ਅਨੁਕੂਲਿਤ ਹੈ।

ਹੁਣ ਪੁੱਛਗਿੱਛ

ਵੇਰਵੇ

ਟੈਗਸ

ਤਕਨੀਕੀ ਨਿਰਧਾਰਨ

ਇੰਡੀਅਮ ਐਂਟੀਮੋਨਾਈਡ

InSb

ਇੰਡੀਅਮ ਐਂਟੀਮੋਨਾਈਡ ਸਬਸਟਰੇਟ(InSb ਸਬਸਟਰੇਟ, InSb ਵੇਫਰ) ਵੈਸਟਰਨ ਮਿਨਮੈਟਲਸ (SC) ਕਾਰਪੋਰੇਸ਼ਨ ਵਿਖੇ n-ਟਾਈਪ ਜਾਂ p-ਟਾਈਪ 1" 2" 3" ਅਤੇ 4" (30, 50, 75 ਅਤੇ 100mm) ਵਿਆਸ, ਸਥਿਤੀ <111> ਜਾਂ <100> ਦੇ ਆਕਾਰ ਵਿੱਚ ਪੇਸ਼ ਕੀਤੀ ਜਾ ਸਕਦੀ ਹੈ, ਅਤੇ ਲੈਪਡ, ਐਚਡ, ਪਾਲਿਸ਼ਡ ਫਿਨਿਸ਼ਸ ਦੀ ਵੇਫਰ ਸਤਹ ਦੇ ਨਾਲ। ਇੰਡੀਅਮ ਐਂਟੀਮੋਨਾਈਡ ਸਿੰਗਲ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਬਾਰ (InSb ਮੋਨੋਕ੍ਰਿਸਟਲ ਬਾਰ) ਨੂੰ ਵੀ ਬੇਨਤੀ ਕਰਨ 'ਤੇ ਸਪਲਾਈ ਕੀਤਾ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ।

ਇੰਡੀਅਮ ਐਂਟੀਮੋਨਾਈਡPਓਲੀਕ੍ਰਿਸਟਲਾਈਨ (InSb ਪੌਲੀਕ੍ਰਿਸਟਲਾਈਨ, ਜਾਂ ਮਲਟੀਕ੍ਰਿਸਟਲ InSb) ਅਨਿਯਮਿਤ ਗੱਠ ਦੇ ਆਕਾਰ ਦੇ ਨਾਲ, ਜਾਂ ਖਾਲੀ (15-40)x(40-80)mm ਵੀ ਸੰਪੂਰਨ ਹੱਲ ਦੀ ਬੇਨਤੀ 'ਤੇ ਅਨੁਕੂਲਿਤ ਕੀਤੇ ਜਾਂਦੇ ਹਨ।

ਇਸ ਦੌਰਾਨ, ਅਨ-ਡੋਪਡ ਐਨ-ਟਾਈਪ ਦੇ ਨਾਲ Dia.50-80mm ਦਾ ਇੰਡੀਅਮ ਐਂਟੀਮੋਨਾਈਡ ਟਾਰਗੇਟ (InSb ਟਾਰਗੇਟ) ਵੀ ਉਪਲਬਧ ਹੈ।

ਨੰ.	ਇਕਾਈ	ਮਿਆਰੀ ਨਿਰਧਾਰਨ
1	ਇੰਡੀਅਮ ਐਂਟੀਮੋਨਾਈਡ ਸਬਸਟਰੇਟ	2"	3"	4"
2	ਵਿਆਸ ਮਿਲੀਮੀਟਰ	50.5±0.5	76.2±0.5	100±0.5
3	ਵਿਕਾਸ ਵਿਧੀ	ਐਲ.ਈ.ਸੀ	ਐਲ.ਈ.ਸੀ	ਐਲ.ਈ.ਸੀ
4	ਸੰਚਾਲਕਤਾ	ਪੀ-ਟਾਈਪ/ਜ਼ੈਡ ਐਨ,ਜੀ ਡੋਪਡ, ਐਨ-ਟਾਈਪ/ਟੀ-ਡੋਪਡ, ਅਨ-ਡੋਪਡ
5	ਸਥਿਤੀ	(100)±0.5°, (111)±0.5°
6	ਮੋਟਾਈ μm	500±25	600±25	800±25
7	ਓਰੀਐਂਟੇਸ਼ਨ ਫਲੈਟ mm	16±2	22±1	32.5±1
8	ਪਛਾਣ ਫਲੈਟ mm	8±1	11±1	18±1
9	ਗਤੀਸ਼ੀਲਤਾ cm2/Vs	1-7E5 N/un-doped, 3E5-2E4 N/Te-ਡੋਪਡ, 8-0.6E3 ਜਾਂ ≤8E13 P/Ge-ਡੋਪਡ
10	ਕੈਰੀਅਰ ਇਕਾਗਰਤਾ cm-3	6E13-3E14 N/un-doped, 3E14-2E18 N/Te-doped, 1E14-9E17 ਜਾਂ <1E14 P/Ge-doped
11	TTV μm ਅਧਿਕਤਮ	15	15	15
12	ਬੋਅ μm ਅਧਿਕਤਮ	15	15	15
13	ਵਾਰਪ μm ਅਧਿਕਤਮ	20	20	20
14	ਡਿਸਲੋਕੇਸ਼ਨ ਘਣਤਾ cm-2 ਅਧਿਕਤਮ	50	50	50
15	ਸਰਫੇਸ ਫਿਨਿਸ਼	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
16	ਪੈਕਿੰਗ	ਸਿੰਗਲ ਵੇਫਰ ਕੰਟੇਨਰ ਅਲਮੀਨੀਅਮ ਬੈਗ ਵਿੱਚ ਸੀਲ ਕੀਤਾ ਗਿਆ ਹੈ।

ਨੰ.	ਇਕਾਈ	ਮਿਆਰੀ ਨਿਰਧਾਰਨ
ਨੰ.	ਇਕਾਈ	Iਐਨਡੀਅਮ ਐਂਟੀਮੋਨਾਈਡ ਪੌਲੀਕ੍ਰਿਸਟਲਾਈਨ	ਇੰਡੀਅਮ ਐਂਟੀਮੋਨਾਈਡ ਟੀਚਾ
1	ਸੰਚਾਲਕਤਾ	ਅਣਡੋਪ ਕੀਤਾ ਗਿਆ	ਅਣਡੋਪ ਕੀਤਾ ਗਿਆ
2	ਕੈਰੀਅਰ ਇਕਾਗਰਤਾ cm^-3	6E13-3E14	1.9-2.1E16
3	ਗਤੀਸ਼ੀਲਤਾ cm²/ਬਨਾਮ	5-7E5	6.9-7.9E4
4	ਆਕਾਰ	15-40x40-80 ਮਿਲੀਮੀਟਰ	D(50-80) ਮਿਲੀਮੀਟਰ
5	ਪੈਕਿੰਗ	ਮਿਸ਼ਰਤ ਅਲਮੀਨੀਅਮ ਬੈਗ ਵਿੱਚ, ਬਾਹਰ ਡੱਬਾ ਡੱਬਾ

ਰੇਖਿਕ ਫਾਰਮੂਲਾ	InSb
ਅਣੂ ਭਾਰ	236.58
ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਬਣਤਰ	ਜ਼ਿੰਕ ਮਿਸ਼ਰਣ
ਦਿੱਖ	ਗੂੜ੍ਹੇ ਸਲੇਟੀ ਧਾਤੂ ਕ੍ਰਿਸਟਲ
ਪਿਘਲਣ ਬਿੰਦੂ	527 °C
ਉਬਾਲਣ ਬਿੰਦੂ	N/A
300K 'ਤੇ ਘਣਤਾ	5.78 ਗ੍ਰਾਮ/ਸੈ.ਮੀ³
ਐਨਰਜੀ ਗੈਪ	0.17 ਈ.ਵੀ
ਅੰਦਰੂਨੀ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧਕਤਾ	4E(-3) Ω-ਸੈ.ਮੀ
CAS ਨੰਬਰ	1312-41-0
EC ਨੰਬਰ	215-192-3

ਇੰਡੀਅਮ ਐਂਟੀਮੋਨਾਈਡ InSbਵੇਫਰ ਬਹੁਤ ਸਾਰੇ ਅਤਿ-ਆਧੁਨਿਕ ਕੰਪੋਨੈਂਟਸ ਅਤੇ ਡਿਵਾਈਸਾਂ ਦੇ ਉਤਪਾਦਨ ਲਈ ਇੱਕ ਆਦਰਸ਼ ਸਬਸਟਰੇਟ ਹੈ, ਜਿਵੇਂ ਕਿ ਐਡਵਾਂਸਡ ਥਰਮਲ ਇਮੇਜਿੰਗ ਹੱਲ, FLIR ਸਿਸਟਮ, ਹਾਲ ਐਲੀਮੈਂਟ ਅਤੇ ਮੈਗਨਟੋਰੇਸਿਸਟੈਂਸ ਇਫੈਕਟ ਐਲੀਮੈਂਟ, ਇਨਫਰਾਰੈੱਡ ਹੋਮਿੰਗ ਮਿਜ਼ਾਈਲ ਗਾਈਡੈਂਸ ਸਿਸਟਮ, ਉੱਚ-ਜਵਾਬਦੇਹ ਇਨਫਰਾਰੈੱਡ ਫੋਟੋਡਿਟੇਕਟਰ ਸੈਂਸਰ, ਉੱਚ -ਸ਼ੁੱਧ ਚੁੰਬਕੀ ਅਤੇ ਰੋਟਰੀ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧਕ ਸੰਵੇਦਕ, ਫੋਕਲ ਪਲੈਨਰ ਐਰੇ, ਅਤੇ ਟੇਰਾਹਰਟਜ਼ ਰੇਡੀਏਸ਼ਨ ਸਰੋਤ ਵਜੋਂ ਅਤੇ ਇਨਫਰਾਰੈੱਡ ਖਗੋਲੀ ਸਪੇਸ ਟੈਲੀਸਕੋਪ ਆਦਿ ਵਿੱਚ ਵੀ ਅਨੁਕੂਲਿਤ।